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a是****澜吖
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本发明提供的光器件(1)具备:硅基板(10),其主面的晶面的面取向为(111)面,且在该主面设置有凹凸结构(11);以及导电体(20),其与硅基板(10)进行肖特基接合;其中,导电体(20)与凹凸结构(11)中的凸部(11a)及凹部(11b)中的至少一者的(111)面直接接合。
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本发明公开包含第1透镜及第2透镜的光器件。该光器件的第1透镜与光元件的光波导的端面进行接合,对来自光元件的出射光进行辐射。第2透镜与第1透镜进行光耦合,将来自第1透镜的出射光变换为准直光。
2023-06-07
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一种光伏器件,包括PIN结构,其中p型空穴传输层(2)由衬底(1)承载,且钙钛矿层(3)和n型电子传输层(4)依次设置在p型层上。一透光导电层(9)设置在n型电子传输层的顶部以形成光接收顶面。在n型电子传输层和透光导电层之间提供包括两个无机电绝缘层(6、8)的结构,其之间具有导电材料层(7),其中两个无机电绝缘层包括带隙大于4.5eV的材料,且导电材料层包括带隙小于电绝缘层的带隙的材料,其中每个电绝缘层与导电材料层形成1型偏移结。
2023-05-23
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一种光电器件，包括III-V族材料层(3)和IV族材料层(1)之间的界面(8)，以及位于或接近所述界面设置的薄的硅扩散阻挡层(6)。所述硅阻挡层限制V族原子到掺杂n型的IV族材料的扩散，从而其被n型掺杂。n型掺杂区域可以在IV族材料中提供具有优异的太阳能电池特性的p-n结。它也可以提供与III-V材料的p型区域相接触的隧道二极管该隧道二极管也有对太阳能电池有用。另一方面，提供一种多结光伏器件，其中包括至少一个硅锗或硅锗锡的第一光吸收层（111）以及硅锗锡的第二光吸收层（112），该两层均与砷化镓晶格匹配。
2023-06-14
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