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SiC晶片的加工方法.pdf

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本发明提供SiC晶片的加工方法,避免SiC晶片破损或损伤。该方法包含:保护部件配设工序,在SiC晶片的正面上配设保护部件;磨削工序,将保护部件侧保持于第1卡盘工作台,残留与外周剩余区域对应的区域而在与器件区域对应的区域定位磨削磨具来进行磨削,在外周剩余区域残留环状增强部而将SiC晶片薄化;金属膜包覆工序,在至少与器件区域对应的背面上包覆金属膜;剥离工序,将保护部件剥离;一体化工序,将SiC晶片与框架一体化;环状增强部去除工序,使器件区域与外周剩余区域的边界断裂而将环状增强部去除;分割预定线检测工序,从第2卡盘工作台侧检测分割预定线;和分割工序,使分割预定线断裂而将器件区域分割成各个器件芯片。