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本发明涉及一种硅片的碱抛光方法、PERC电池及其制备方法。该硅片的碱抛光方法包括:前清洗、碱抛光、后清洗、酸洗、慢提拉及干燥步骤。其中第一批次的碱抛光处理中的碱抛液为初始碱抛液,第n批次的碱抛光处理的碱抛液通过在第n?1批次的碱抛液添加补液制得。初始碱抛液包括体积比为(320~340):(9.5~12.5):(2.5~3.5)的水、碱液及碱抛添加剂;补液中水、碱液及碱抛添加剂的比例为(5.5~6.5):(0.24~0.28):(0.17~0.20)。通过调整碱抛液的配方,上述硅片的碱抛光方法中硅片的减重量较小,能够减少硅片碱抛光减重量,降低制备过程中的碎片率,且经碱抛光的硅片背抛面光亮平整。