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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115877613A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202111145306.2(22)申请日2021.09.28(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人侯东飞张锋董立文崔钊刘文渠孟德天王利波吕志军姚琪(74)专利代理机构北京金信知识产权代理有限公司11225专利代理师庄何媛范继晨(51)Int.Cl.G02F1/1339(2006.01)G02F1/1335(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图8页(54)发明名称显示面板的制作方法、显示面板及显示装置(57)摘要本公开涉及一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置,该制作方法包括:在衬底基板上制备第一基底,形成第一基板;在第一基底上制备多个支撑结构,其中,多个支撑结构在第一基底上间隔设置,相邻的支撑结构之间形成第一间隙;在第一间隙内填充第一光刻胶以形成像素墙;将支撑结构去除,以使像素墙形成在第一基板。本公开通过在第一基板上先间隔预设距离制备多个支撑结构,再在支撑结构之间形成的第一间隙中涂覆第一光刻胶以形成像素墙,之后将支撑结构去除,便可在第一基板上制作出高度均一的像素墙,将像素墙与第一基板之间的间隙填充,防止墨水中的黑色微球迁移导致出现显示串扰,保证显示面板显示的稳定性,提高显示面板产品品质。CN115877613ACN115877613A权利要求书1/2页1.一种显示面板的制作方法,包括:在衬底基板上制备第一基底,形成第一基板;在所述第一基底上制备多个支撑结构,其中,多个所述支撑结构在所述第一基底上间隔设置,相邻的所述支撑结构之间形成第一间隙;在所述第一间隙内填充第一光刻胶以形成像素墙;将所述支撑结构去除,以使所述像素墙形成在所述第一基板。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述支撑结构沿所述第一基板的厚度方向延伸。3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述支撑结构的高度大于所述像素墙的高度,其中,所述支撑结构的高度为沿所述第一基板的厚度方向,所述支撑结构远离所述第一基板的表面到所述第一基板的距离;所述像素墙的高度为沿所述第一基板的厚度方向,所述像素墙远离所述第一基板的表面到所述第一基板的距离。4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述在所述第一基底上制备多个支撑结构,包括:在所述第一基底上涂覆第二光刻胶;对涂覆的所述第二光刻胶进行曝光,并对曝光后的所述第二光刻胶进行显影,得到所述支撑结构。5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述在所述第一基底上制备多个支撑结构,包括:在所述第一基底上涂覆压印胶,形成压印层;按照预设的图形样式对所述压印层进行压印,压印出凹槽区域,其中,所述凹槽区域形成所述第一间隙,所述压印层未被压印的部分形成所述支撑结构;在压印完成的所述压印层上保留预设的所述压印胶形成压印残胶层。6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述将所述支撑结构去除,包括:通过使用剥离液或干刻的方式将所述支撑结构去除。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其中,所述方法还包括:制备第二基板;将所述第一基板与所述第二基板对盒,形成显示面板。8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述方法还包括:在所述第一基底上制备透镜层;在所述透镜层上制备多个所述支撑结构。9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述第一基底包括同层设置的滤光层和遮光层,所述在所述透镜层上制备多个所述支撑结构,包括:在所述透镜层上与所述滤光层对应的位置制备所述支撑结构。10.根据权利要求8所述的方法,其中,所述在所述第一基底上制备透镜层,包括:对设置在所述第一基底上的透镜材料进行涂覆,并通过纳米压印固化成型的方式形成所述透镜层。11.根据权利要求7所述的方法,其中,所述第一基板为阵列基板,所述第二基板为彩膜基板,所述第二基板包括同层设置的滤光层和遮光层,所述第一基板与第二基板对盒后,形成在所述第一基板的所述像素墙的位置与所述第二基板的所述遮光层对应;或者所述第一基板为彩膜基板,所述第二基板为阵列基板,所述方法还包括:在所述第二基板上形成像素墙;所述第一基板与所述第二基板对盒后,所述第二基板2CN115877613A权利要求书2/2页上的像素墙与所述第一基板上的像素墙一一对应。12.一种显示面板,包括第一基板、第二基板以及设置在所述第一基板和所述第二基板之间的像素墙,其中,所述像素墙采用根据权利要求1‑6中任一项所述的方法形成在所述第一基板。13.根据权利要求12所述的显示面板,其中,所述第一基板为彩膜基板,所述彩膜基板上形成有透镜层,所述像素墙形成在所述透镜层上;或者,所述第一基板为阵列基板,所述像素墙形成在所述阵列基板的TFT基底上。14.根据权利要求13所述的显示面板,其中,