显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115832123A(43)申请公布日2023.03.21(21)申请号202211377098.3(22)申请日2022.11.04(71)申请人惠科股份有限公司地址518000广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区工业二路1号惠科工业园厂房1栋一层至三层、五至七层，6栋七层(72)发明人张合静鲜济遥袁海江(74)专利代理机构深圳中一联合知识产权代理有限公司44414专利代理师姚泽鑫(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)H01L27/15(2006.01)H01L21/77(2017.01)权利要求书2页说明书10页附图4页(54)发明名称显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置(57)摘要本申请提供的一种显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置，所述制作方法包括：在衬底的第一表面上的第一预设区域形成多个未晶化的半导体块；于一结晶温度下，在所述第一表面上的第二预设区域形成至少一个第一发光元件；在每个所述半导体块远离所述第一表面的一侧形成开关结构，且将各自与第一发光元件一一对应的第二发光元件和第三发光元件转移到所述第二预设区域，本申请借助于第一发光元件形成过程中的结晶温度，使得半导体块结晶化，从而制备形成显示面板，本申请相较于现有技术减少了三分之一的巨量转移，结晶化的TFT迁移率高，稳定性好，可以实现色域更高的显示效果。CN115832123ACN115832123A权利要求书1/2页1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底的第一表面上的第一预设区域形成多个未晶化的半导体块；于一结晶温度下，在所述第一表面上的第二预设区域形成至少一个第一发光元件；其中，所述半导体块在所述结晶温度下结晶化；在每个所述半导体块远离所述第一表面的一侧形成开关结构；将各自与第一发光元件一一对应的第二发光元件和第三发光元件转移到所述第二预设区域，以形成所述显示面板；其中，所述第一预设区域对应所述显示面板的非显示区域，所述第二预设区域对应所述显示面板的显示区域。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一表面上的第二预设区域形成至少一个第一发光元件，包括：在所述结晶温度下，在所述第一表面上生长出覆盖所述衬底的半导体晶片；对所述半导体晶片进行刻蚀，在所述第二预设区域形成至少一个所述第一发光元件，并去除所述第一预设区域上的所述半导体晶片。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一表面上生长出覆盖所述衬底的半导体晶片，包括：在所述半导体块和所述衬底暴露的表面上通过外延生长出第一掺杂层；在所述第一掺杂层远离所述第一表面的一侧上外延生长出第一发光层；在所述第一发光层远离所述第一掺杂层的一侧表面上外延生长出第二掺杂层；其中，所述第一掺杂层为P型掺杂层和N型掺杂层中的一个，所述第二掺杂层为P型掺杂层和N型掺杂层中的另一个。4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述对所述半导体晶片进行刻蚀，在所述第二预设区域形成至少一个所述第一发光元件，包括：对所述半导体晶片进行第一次刻蚀，去除所述第一预设区域中的第二掺杂层以及第一发光层，并在所述第二预设区域图案化所述第二掺杂层以及第一发光层，形成对应所述第一发光元件的柱状单元，每个柱状单元之间形成刻蚀间隙；所述刻蚀间隙和所述第一预设区域暴露所述第一掺杂层；对所述第一预设区域未形成所述半导体块的区域以及所述刻蚀间隙处的第一掺杂层进行减薄处理；对所述刻蚀间隙处的所述第一掺杂层进行第二次刻蚀，将每个所述刻蚀间隙处的所述第一掺杂层隔断，所述第一掺杂层在所述刻蚀间隙内形成用于放置第一焊盘的表面。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在每个半导体块上形成开关结构，包括：在所述未晶化的半导体块远离所述第一表面的一侧形成绝缘块；在所述绝缘块远离所述第一表面的一侧形成栅极金属件；在所述未晶化的半导体块的两侧分别形成源极金属件和漏极金属件，所述源极金属件和漏极金属件与所述未晶化的半导体块接触；在所述栅极金属件、源极金属件和漏极金属件之间的空间内形成层间电介质；其中所述源极金属件和漏极金属件部分露出所述层间电介质，以形成接触电极。2CN115832123A权利要求书2/2页6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，还包括：在所述层间电介质远离所述第一表面的一侧形成覆盖所述接触电极的第一保护层；在所述第一保护层和所述第二掺杂层远离所述第一表面的一侧形成电连接件；其中每个所述接触电极与一电连接件通过在所述第一保护层上沉积的过孔金属耦接；在所述第二掺杂层上的电连接件远离所述第一表面的一侧形成第二焊盘。7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：将遮光材料填充每个所述第一发光元件之间的刻蚀间隙内