玻璃陶瓷电介质材料、烧结体、烧结体的制造方法以及高频用电路部件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115872624A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202211195023.3B32B37/06(2006.01)(22)申请日2022.09.28B32B37/10(2006.01)B32B38/08(2006.01)(30)优先权数据2021-1589702021.09.29JP(71)申请人日本电气硝子株式会社地址日本国滋贺县(72)发明人马屋原芳夫(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021专利代理师任岩(51)Int.Cl.C03C10/04(2006.01)B32B17/00(2006.01)B32B17/06(2006.01)B32B33/00(2006.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称玻璃陶瓷电介质材料、烧结体、烧结体的制造方法以及高频用电路部件(57)摘要本发明的层叠玻璃陶瓷电介质材料的特征在于，至少具有按照外层、内层、外层的顺序层叠而成的层叠结构，上述外层分别由厚度0.1～5μm的氧化铝形成，且上述内层包含以质量％计含有SiO250～60％、CaO20～30％、MgO15～21％作为玻璃组成的结晶性玻璃粉末。CN115872624ACN115872624A权利要求书1/1页1.一种层叠玻璃陶瓷电介质材料，其特征在于，至少具有按照外层、内层、外层的顺序层叠而成的层叠结构，所述外层分别由厚度0.1μm～5μm的氧化铝形成，且所述内层包含以质量％计含有SiO250％～60％、CaO20％～30％、MgO15％～21％作为玻璃组成的结晶性玻璃粉末。2.根据权利要求1所述的层叠玻璃陶瓷电介质材料，其特征在于，所述内层是生片压合体或印刷层叠体。3.根据权利要求1或2所述的层叠玻璃陶瓷电介质材料，其特征在于，所述内层实质上不含陶瓷粉末。4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠玻璃陶瓷电介质材料，其特征在于，所述内层包含金属导体。5.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠玻璃陶瓷电介质材料，其特征在于，所述金属导体为银或银合金。6.一种烧结体，其特征在于，是使权利要求1～5中任一项所述的层叠玻璃陶瓷电介质材料烧结而成的烧结体，透辉石系结晶作为主结晶从内层的玻璃基体析出。7.一种层叠玻璃陶瓷烧结体，其特征在于，至少具有按照外层、内层、外层的顺序层叠而成的层叠结构，所述外层分别由厚度0.1μm～5μm的氧化铝形成，且所述内层以质量％计含有SiO250％～60％、CaO20％～30％、MgO15％～21％，且析出有透辉石系结晶。8.根据权利要求6或7所述的烧结体，其特征在于，三点弯曲强度为250MPa以上。9.根据权利要求6～8中任一项所述的烧结体，其特征在于，测定温度25℃、频率28GHz下的介质损耗角正切为0.0009以下。10.根据权利要求6～9中任一项所述的烧结体，其特征在于，测定温度25℃、频率28GHz下的相对介电常数为8.0以下。11.根据权利要求6～10中任一项所述的烧结体，其特征在于，所述内层的热膨胀系数为8ppm/℃～10ppm/℃。12.一种烧结体的制造方法，其特征在于，对权利要求1～5中任一项所述的层叠玻璃陶瓷电介质材料进行烧成。13.根据权利要求12所述的烧结体的制造方法，其特征在于，以1000℃以下的温度进行烧成。14.一种高频用电路部件，其特征在于，是具有电介质层的高频用电路部件，电介质层是权利要求6～11中任一项所述的烧结体。2CN115872624A说明书1/6页玻璃陶瓷电介质材料、烧结体、烧结体的制造方法以及高频用电路部件技术领域[0001]本发明涉及在20GHz以上的高频区域内具有对信号处理有利的低介质损耗角正切和高机械强度的烧结体的前体即玻璃陶瓷电介质材料、烧结体以及高频用电路部件。背景技术[0002]氧化铝陶瓷作为布线基板、电路部件被广泛使用。氧化铝陶瓷的相对介电常数为10而较高，因此有信号处理的速度慢的缺点。另外，由于必须在导体材料中使用高熔点的钨，因此还有导体损失变高的缺点。[0003]为了弥补该缺点，开发了由玻璃粉末和陶瓷粉末构成的玻璃陶瓷电介质材料，该烧结体被用作电介质层。例如，使用透辉石作为主结晶析出的玻璃粉末的玻璃陶瓷电介质材料的烧结体在0.1GHz下相对介电常数为7.3～7.8，比氧化铝陶瓷材料的相对介电常数低。另外能够以1000℃以下的温度烧成，因此有以下优点：能够与导体损失低的Ag、Cu等低熔点的金属材料同时烧成，能够将它们作为内层导体使用(参照专利文献1)。[0004]现有技术文献[0005]专利文献[0006]专利文献1：日本特开平10‑120436号发明内容[0007]发明要解决的问题[0008]可是，近年来，以5G为代表的移动体通信设备、WiFi等局域