浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构的制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881619A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202211415178.3(22)申请日2022.11.11(71)申请人上海积塔半导体有限公司地址200135上海市浦东新区云水路600号(72)发明人李钊黄永彬黄峰(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224专利代理师高雪(51)Int.Cl.H01L21/762(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图9页(54)发明名称浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构的制备方法(57)摘要本申请涉及一种浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构的制备方法。浅沟槽隔离结构的制备方法包括：提供基底；于所述基底内形成初始浅沟槽隔离结构，所述初始浅沟槽隔离结构于所述基底内隔离出多个间隔排布的有源区；于所述初始浅沟槽隔离结构的上表面和侧壁以及所述基底的上表面形成牺牲层；去除所述牺牲层，以得到浅沟槽隔离结构。通过在初始浅沟槽隔离结构的上表面和侧壁以及基底的上表面形成牺牲层，以对初始浅沟槽隔离结构进行保护，相较于常规的牺牲层只形成于基底的上表面的方式，本申请的牺牲层覆盖在初始浅沟槽隔离结构的上表面和侧壁以及基底的上表面，在去除牺牲层时，初始浅沟槽隔离结构的侧壁以及上表面的边缘位置不会形成凹坑。CN115881619ACN115881619A权利要求书1/2页1.一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；于所述基底内形成初始浅沟槽隔离结构，所述初始浅沟槽隔离结构于所述基底内隔离出多个间隔排布的有源区；于所述初始浅沟槽隔离结构的上表面和侧壁以及所述基底的上表面形成牺牲层；去除所述牺牲层，以得到浅沟槽隔离结构。2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述于所述初始浅沟槽隔离结构的上表面和侧壁以及所述基底的上表面形成牺牲层包括：采用原子层沉积工艺于所述初始浅沟槽隔离结构的上表面和侧壁以及所述基底的上表面形成氧化硅层作为所述牺牲层。3.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述于所述基底内形成初始浅沟槽隔离结构包括：于所述基底的上表面形成隔离叠层，所述隔离叠层具有开口；基于所述开口刻蚀所述基底，以于所述基底内形成浅沟槽；于所述浅沟槽内、所述开口内及所述隔离叠层的上表面形成填充介质层；去除位于所述隔离叠层的上表面的填充介质层、部分位于所述开口内的填充介质层以及所述隔离叠层，以得到所述初始浅沟槽隔离结构。4.根据权利要求3所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述隔离叠层包括衬垫层和图形化掩膜层；所述于所述基底的上表面形成隔离叠层，所述隔离叠层具有开口，包括：于所述基底的上表面形成衬垫材料层；于所述衬垫材料层的上表面形成掩膜层；于所述掩膜层的上表面形成光阻层；对所述光阻层进行曝光显影，以得到图形化光阻层，所述图形化光阻层具有第一开口；基于所述图形化光阻层刻蚀所述掩膜层，以得到所述图形化掩膜层，所述图形化掩膜层具有第二开口；基于所述图形化掩膜层刻蚀所述衬垫材料层，以得到所述衬垫层，所述衬垫层具有第三开口。5.根据权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述于所述基底的上表面形成衬垫材料层，包括：于所述基底的上表面形成氧化硅层作为所述衬垫材料层。6.根据权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述于所述衬垫材料层的上表面形成掩膜层，包括：于所述衬垫材料层的上表面形成氮化硅层作为所述掩膜层。7.根据权利要求3所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述于所述浅沟槽内、所述开口内及所述隔离叠层的上表面形成填充介质层，包括：采用高能等离子体工艺于所述浅沟槽内、所述开口内及所述隔离叠层的上表面形成氧化层作为所述填充介质层。8.根据权利要求3所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述填充介质层具2CN115881619A权利要求书2/2页有凹槽；所述去除位于所述隔离叠层的上表面的填充介质层、部分位于所述开口内的填充介质层以及所述隔离叠层，以得到所述初始浅沟槽隔离结构，包括：去除位于所述凹槽外的部分填充介质层；去除位于所述隔离叠层的上表面的填充介质层以及部分位于所述开口内的填充介质层；去除所述隔离叠层。9.根据权利要求1至8中任一项所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述去除所述牺牲层，以得到浅沟槽隔离结构之前，所述方法还包括：于所述牺牲层的上表面形成阻挡层，所述阻挡层具有第四开口；基于所述第四开口，对所述基底进行离子注入，以于所述有源区内形成轻掺杂区。10.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：采用如权利要求1至9中任一项所述的浅沟槽隔离结构的制备方法制备所述浅沟槽隔离结构。3CN115881619A说明书1/