一种用于覆晶封装芯片的凸块结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881674A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202211445716.3(22)申请日2022.11.18(71)申请人合肥创发微电子有限公司地址230088安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期J2A栋19层1901室(72)发明人陈柏琦赵建源(74)专利代理机构合肥市上嘉专利代理事务所(普通合伙)34125专利代理师叶洋军(51)Int.Cl.H01L23/488(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图8页(54)发明名称一种用于覆晶封装芯片的凸块结构(57)摘要本发明公开了一种用于覆晶封装芯片的凸块结构，该凸块结构包括在凸块顶面布置的导流式凹槽，该凹槽居中地布置在凸块顶面上且贯穿凸块整个表面，其两端具有开口，仅在左右两侧形成凸起边界。与回字型凸起边界的凸块结构相比，本发明采用导流式凹槽凸块结构，在薄膜覆晶封装应用和卷带式覆晶封装应用时效果更优越。CN115881674ACN115881674A权利要求书1/1页1.一种用于覆晶封装芯片的凸块结构，其特征在于，所述凸块结构包括在凸块顶面布置的导流式凹槽，该凹槽居中地布置在凸块顶面上且贯穿凸块整个表面，其两端具有开口，仅在左右两侧形成凸起边界。2.根据权利要求1所述的用于覆晶封装芯片的凸块结构，其特征在于，所述凸块结构用于薄膜覆晶封装，该凹槽的深度小于异方向性导电胶粒子的外径。3.根据权利要求1所述的用于覆晶封装芯片的凸块结构，其特征在于，所述凸块结构用于卷带式覆晶封装，该凹槽在压合过程中防止引脚偏移。4.根据权利要求1所述的用于覆晶封装芯片的凸块结构，其特征在于，利用单一长型焊垫开窗，且让两端的焊垫开窗与凸块边缘切齐，然后利用凸块电镀特性使得凸块表面形成一道贯穿凸块表面的凹槽。5.根据权利要求1所述的用于覆晶封装芯片的凸块结构，其特征在于，利用若干个小焊垫开窗排列，且让两端的焊垫开窗与凸块边缘切齐，然后利用凸块电镀特性使得凸块表面形成一道贯穿凸块表面的凹槽。2CN115881674A说明书1/4页一种用于覆晶封装芯片的凸块结构技术领域[0001]本发明涉及覆晶封装技术，尤其涉及一种用于覆晶封装芯片的凸块结构。背景技术[0002]覆晶技术（FlipChip），也称“倒晶封装”，是芯片封装技术的一种，有别于过去芯片绑线（wirebonding）封装方式，该覆晶技术是将芯片连接点生长金凸块（bump），然后将芯片翻转过来使凸块与基板（substrate）直接连结，例如现行显示驱动芯片（COG）通常采用该封装技术。[0003]如图1所示，凸块11制作以光阻（PhotoResist）12曝光后电镀而成。凸块表面形状会依照底层结构的形状成长，光阻12做为控制凸块11的边界用。该底层结构由芯片绝缘层13、焊垫（pad）14和焊垫开窗（Padopening）15构成。电镀后的凸块表面产生高低落差的现象。[0004]传统焊垫例如铝焊垫（Alpad）典型地采用中央开窗模式，如图2所示，这样制作的凸块结构如下：凸块顶部会形成中央凹陷16、四周有回字型凸起边界17（ring）的封闭挡墙结构，如图3所示。[0005]在实施本发明的过程中，本发明人发现：现有凸块结构有以下不足：1、在薄膜覆晶封装工艺（COF）中，若芯片绝缘层较厚或者凸块生长时电镀控制得不好，将回字形凸起边界的高度过高，容易使得凸块11在压合基板30上的异方向性导电胶层10（ACF）时异方向性导电胶（ACF）粒子18发生无法变形的情况，进而影响导电性，如图4所示。[0006]2、传统焊垫开窗所形成的回字形凸起边界17形成一个死循环的空间，此时于压合过程中所产生的气泡19，气泡不容易排出，更甚至会影响凸块中心处的异方向性导电胶粒子18数量，而导致压合良率不佳，如图5所示。发明内容[0007]本发明的目的在于一种用于覆晶封装芯片的凸块结构，通过现有的凸块结构加以改良，以提升压合良率。[0008]为此，本发明提供了一种用于覆晶封装芯片的凸块结构，该凸块结构包括在凸块顶面布置的导流式凹槽，该凹槽居中地布置在凸块顶面上且贯穿凸块整个表面，其两端具有开口，仅在左右两侧形成凸起边界。[0009]进一步地，上述凸块结构用于薄膜覆晶封装，该凹槽的深度小于异方向性导电胶粒子的外径。[0010]进一步地，上述凸块结构用于卷带式覆晶封装，该凹槽在压合过程中防止引脚偏移。[0011]进一步地，利用单一长型焊垫开窗，且让两端的焊垫开窗与凸块边缘切齐，然后利用凸块电镀特性使得凸块表面形成一道贯穿凸块表面的凹槽。3CN115881674A说明书2/4页[0012]进一步地，利用若干个小焊垫开窗排列，且让两端的焊垫开窗与凸块边缘切齐，然后利用凸块电镀特性使得凸块