收发器及集成电路.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102868419102868419B(45)授权公告日2014.11.05(21)申请号201210228907.4(22)申请日2012.07.03(30)优先权数据61/504,5512011.07.05US13/309,4742011.12.01US(73)专利权人联发科技股份有限公司地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号(72)发明人廖之帆(74)专利代理机构北京万慧达知识产权代理有限公司11111代理人于淼杨颖(51)Int.Cl.H04B1/40(2006.01)审查员曲祯权权利要求书2页利要求书2页说明书6页说明书6页附图3页附图3页(54)发明名称收发器及集成电路(57)摘要本发明提供一种收发器以及集成电路，该集成电路包括一平衡不平衡变压器、一晶体管对、以及一衰减电感绕组。该平衡不平衡变压器具有一外部边缘，包括一一次绕组以及一二次绕组。该一次绕组接收一输入信号。该二次绕组磁性耦接至该一次绕组，并且将该输入信号转换至一差分形式。该晶体管对连接至该二次绕组，放大该输入信号。该衰减电感绕组连接至该晶体管对，位于该平衡不平衡变压器的外部边缘之内。上述收发器以及集成电路，能够降低收发器电路的尺寸大小并且减少制造费用。CN102868419BCN1028649BCN102868419B权利要求书1/2页1.一种集成电路，其特征在于，包括：一平衡不平衡变压器，一晶体管对以及一衰减电感绕组；其中，该平衡不平衡变压器包括：一一次绕组，接收一输入信号；以及一二次绕组，磁性耦接至该一次绕组，并且将该输入信号转换至一差分形式；该晶体管对，连接至该二次绕组，放大该输入信号；该衰减电感绕组，连接至该晶体管对；其中，在实际布线中，该平衡不平衡变压器具有一外部边缘，该衰减电感绕组设置在该平衡不平衡变压器围绕的空间内，且该衰减电感绕组设置在该外部边缘内。2.如权利要求1所述的集成电路，其中，该平衡不平衡变压器还具有一内部边缘，并且该衰减电感绕组还由该平衡不平衡变压器的该内部边缘所环绕。3.如权利要求1所述的集成电路，其中，该二次绕组以及该衰减电感绕组均具有一线圈，这两个线圈相互平行，并且该二次绕组与该衰减电感绕组的该平行的两个线圈之间具有一间隔。4.如权利要求3所述的集成电路，其中，该间隔大小由该二次绕组以及该衰减电感绕组之间的磁耦合系数k而决定。5.如权利要求3所述的集成电路，其中，该间隔在5到10微米的范围之内。6.如权利要求3所述的集成电路，其中，该间隔用于增加该二次绕组以及该衰减电感绕组之间的磁耦合效应。7.如权利要求3所述的集成电路，其中，该二次绕组以及该衰减电感绕组的该平行的两个线圈彼此相邻。8.如权利要求3所述的集成电路，其中，该二次绕组以及该衰减电感绕组的该平行的两个线圈的电流方向相同，以加强该衰减电感绕组的感应效应。9.如权利要求1所述的集成电路，其中，该平衡不平衡变压器以及该衰减电感绕组设置在该集成电路的一相同层或不同层上。10.如权利要求1所述的集成电路，其中该衰减电感绕组由一螺旋绕组实现，包括三个端点，其中一个端点位于该螺旋绕组的中央，以及另外两个端点距离该中央端点的距离大致相等，该中央端点连接至接地，另外两个端点分别连接至该晶体管对中的两个晶体管。11.如权利要求10所述的集成电路，其中，该晶体管对为一MOS晶体管对，该二次绕组连接至该MOS晶体管对的栅极，该衰减电感绕组的该另外两个端点分别连接至该MOS晶体管对的两个MOS晶体管的源极。12.如权利要求1所述的集成电路，其中，该一次绕组以及该二次绕组具有不同数量的圈数，并且该平衡不平衡变压器对该输入信号提供电压增益。13.一种收发器，其特征在于，包括：一平衡不平衡变压器及一接收器；其中，该平衡不平衡变压器，包括：一一次绕组，接收一输入信号；以及一二次绕组，磁性耦接至该一次绕组，将该输入信号转换至一差分形式；以及该接收器，包括：一晶体管对，连接至该二次绕组并且放大该输入信号；以及2CN102868419B权利要求书2/2页一衰减电感绕组，连接至该晶体管对；其中，在实际布线中，该平衡不平衡变压器具有一外部边缘，该衰减电感绕组设置在该平衡不平衡变压器围绕的空间内，且该衰减电感绕组设置在该外部边缘内。14.如权利要求13所述的收发器，其特征在于，还包括一传送器，放大一输出信号，其中，该平衡不平衡变压器还将该输出信号转换至一单端形式。15.如权利要求13所述的收发器，其中，该平衡不平衡变压器还具有一内部边缘，并且该衰减电感绕组还由该平衡不平衡变压器的该内部边缘所环绕。16.如权利要求13所述的收发器，其中，该二次绕组以及该衰减电感绕组各具有一线圈，该两个线圈相互平行，并且该