半导体设备及其控制方法.pdf
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相关资料
半导体设备及其控制方法.pdf
本申请实施例涉及一种半导体设备及其控制方法。该设备包括承载台,用于放置晶圆;第一温度检测装置和第二温度检测装置,分别设置在所述承载台对应腔室的相对侧壁上,用于同时采集晶圆的表面温度,并根据采集到的表面温度分别生成第一检测温度和第二检测温度;控制装置,分别与第一温度检测装置和第二温度检测装置连接,用于在第一检测温度和第二检测温度均不大于预设温度时,生成取片信号;其中,取片信号用于控制半导体设备的传输机构取出晶圆。半导体设备中的传输机构取出晶圆的动作仅与晶圆表面的温度有关,不受半导体设备中设置的冷却时间的影响
半导体设备及其控制方法.pdf
本公开涉及半导体设备及其控制方法。一种半导体设备包括:闪速存储器,包括多个电可擦除存储器单元,并且被配置为输出指示擦除是否成功的验证结果信号;以及控制块,被配置为控制闪速存储器。控制块包括指示闪速存储器中的集体擦除范围的批量擦除范围控制电路。在擦除被执行之后,当验证结果信号VR指示对由批量擦除范围控制电路指定的第一范围中的扇区的擦除失败时,基于指定擦除失败的扇区的失败扇区地址、以及指定第一范围结束的结束扇区地址,计算擦除要被再次执行的第二范围,所指定的第二范围被设置到批量擦除范围控制电路,并且对第二范围中
半导体退火设备及其控制方法.pdf
本发明提供了一种半导体退火设备及其控制方法。所述半导体退火设备包括3N个定位部、3N个调整部、移动控制部、第一加热部和第二加热部。3N个所述定位部的每个第二承托结构的自由端靠近所围成的工艺承载区的边缘,增加了目标晶圆的受热面积,以利于同时对所述目标晶圆的正背面进行加热,提高了工艺效率和加热均匀性;相邻第所述二承托结构之间的距离允许所述调整部的第一承托结构通过,设置所述移动控制部控制3N个所述调整部的运动,能够以带动3N个所述第一承托结构进行运动,从而快速调整所述目标晶圆和所述工艺承载区之间的相对位置关系,
半导体工艺设备及其控制方法.pdf
本申请公开一种半导体工艺设备,包括第一工作腔、第二工作腔、隔离阀、主驱动机构、辅助驱动机构和密封圈,其中:隔离阀包括阀体和阀门,阀体设有阀腔、第一传片口和第二传片口,第一传片口和第二传片口均与阀腔连通,第一工作腔与第一传片口连通,第二工作腔与第二传片口连通;阀门可活动地设于阀腔内;主驱动机构用于驱动阀门主体选择性地移动至封闭位置和打开位置处;辅助驱动机构用于阀门主体在封闭位置时,驱动阀门主体朝靠近或者远离第一传片口方向移动,以使密封圈的压缩量维持在预设阈值范围内。上述方案可以解决阀门主体对第一传片口密封时
半导体清洗设备及其控制方法.pdf
本申请公开一种半导体清洗设备及其控制方法,半导体清洗设备包括送液管路、送气管路、喷头和液体检测传感器,所述送液管路具有进液端和出液端,所述送气管路具有进气端和出气端,所述喷头设有进液口、进气口和喷淋口,所述进液口和所述进气口均与所述喷淋口连通,所述出液端与所述进液口连通,所述出气端与所述进气口连通,所述喷淋口用于喷淋气液混合物,所述液体检测传感器安装于所述送气管路中,用于检测送气管路中是否存在液体。上述技术方案公开的半导体清洗设备能够检测在清洗晶圆的过程中,是否有液体混入送气管路中,防止液体长时间滞留在送