驱动电压和电阻可调的SiC MOSFET驱动控制电路.pdf
一吃****仕龙
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科技创新与应用2021年14期TechnologyInnovationandApplication创新前沿抑制SiCMOSFET瞬态电压尖峰的改进驱动电路设计王文月1,牛萍娟2(1.天津工业大学电气工程与自动化学院,天津300000;2.天津工业大学电子与信息工程学院,天津300000)摘要:与硅器件相比,碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiCMOSFET)具有更高的开关频率与开关速度,使得传统驱动下SiCMOSFET受寄生参数影响电压尖峰问题更为严重。而现有抑制瞬态电压尖峰方法作用有限,往往会增加开关延
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可调控驱动控制电路.pdf
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