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本发明涉及一种驱动电压和电阻可调的SiCMOSFET驱动控制电路,属于SiCMOSFET驱动技术领域,解决了现有技术难以同时保证高增益、结构简单、高稳定性、高效率的问题。该变换器包括控制芯片、SiCMOSFET器件、电源VG1~VG2、开关管S1~S6,电阻RG1~RG2;其中,控制芯片,用于输出开关管S1~S6控制信号至开关管S1~S6的栅极;开关管S1、S2的漏极分别与电源VG1的正极连接;开关管S3~S5的漏极分别与电源VG1的负极、电源VG2的负极连接,并接地;开关管S6的漏极与电源VG2的正极连接;并且,开关管S1、S3的源极分别经电阻RG1与SiCMOSFET器件的栅极连接,开关管S2、S4的源极分别经电阻RG2与SiCMOSFET器件的栅极连接;开关管S5、S6的源极与SiCMOSFET器件的源极连接。该电路能够保证SiCMOSFET器件安全可靠运行。