基于电子掺杂量子点的单光子源及其制备方法.pdf
Jo****34
亲,该文档总共19页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~
相关资料
基于电子掺杂量子点的单光子源及其制备方法.pdf
发明提供一种基于电子掺杂量子点的单光子源及其制备方法,基于电子掺杂量子点的单光子源依次包括:基板、下高反镜、内含电子掺杂的硒化银核/复合壳量子点的二氧化硅层及上高反镜,以及安置于上高反镜垂直上方的油浸物镜、偏振分束器及激发激光器;内含电子掺杂的硒化银核/复合壳量子点的二氧化硅层由二氧化硅膜及单个电子掺杂的硒化银核/复合壳量子点组成;单个电子掺杂的硒化银核/复合壳量子点包括直径小于4nm的掺杂了1个电子的硒化银核;激发激光器发射的光子能量与电子掺杂的硒化银核/复合壳量子点的禁带宽度相同。本发明可获得在室温下
量子点单光子源微柱腔的制备方法及单光子源样片.pdf
本申请公开了一种量子点单光子源微柱腔的制备方法及单光子源样品。其中,该方法包括:在待刻蚀的样片的外延层上生成第一掩膜层,在所述第一掩膜层上生成倒台型的第二掩膜层;以所述第二掩膜层作为掩膜对所述第一掩膜层进行刻蚀,使得所述第一掩膜层形成为圆柱结构;以圆柱结构的所述第一掩膜层作为掩膜,对所述样片的外延层进行刻蚀,以形成微柱,其中,在刻蚀所述外延层时,针对所述外延层的不同深度,采用不同的刻蚀参数进行刻蚀。本申请解决了难以制备出垂直性较好的微柱腔的技术问题。
单光子源低密度InAs量子点的制备的任务书.docx
单光子源低密度InAs量子点的制备的任务书任务背景:随着原子物理和量子信息领域的发展,单光子源在量子通信、量子计算和量子密码学等领域受到越来越广泛的关注和应用。基于单光子源的量子技术在信息传输方面具有不可替代的优势,尤其是在高度安全性的信息传输和数据存储领域。单光子源被广泛应用于激光调制、荧光标记、医学成像、能量分析仪等领域。因此,单光子源的研究一直受到科学家的关注。InAs量子点是一种优秀的单光子源,由于其量子限制效应和禁带狭窄效应,可以在室温下实现单光子发射。和其他材料相比,InAs量子点具有高效的光
In(Ga)As量子点分子束外延生长及其单光子源器件制备的任务书.docx
In(Ga)As量子点分子束外延生长及其单光子源器件制备的任务书任务书任务名称:In(Ga)As量子点分子束外延生长及其单光子源器件制备任务目标:1.研究In(Ga)As量子点在分子束外延生长中的生长条件和生长过程,探究其形态和特性。2.制备高质量、高稳定性的In(Ga)As量子点结构,并将其应用于单光子源器件制备中。3.验证In(Ga)As量子点作为单光子源器件的性能和可靠性。任务内容:1.In(Ga)As量子点生长条件的研究(1)研究In(Ga)As量子点的成核条件和规律。(2)研究In(Ga)As量
日盲紫外单光子源及其制备方法.pdf
本发明公开了一种日盲紫外单光子源及其制备方法,包括宽禁带半导体p型层、i型本征层、单量子点和n型层构成的量子点嵌埋pin纳米线或量子点嵌埋pin薄膜,pin结构中量子点的禁带宽度大于4.43eV,且pin结构采用禁带宽度大于量子点的半导体材料,从而形成类量子阱结构以增强对单量子点的量子限制;本发明对于光泵浦和电泵浦两种激发方式均适用,既可垂直于衬底发射,也可平行于衬底发射,因此既可用于自由空间单光子源也可用于片上集成单光子源;其发射波长在小于280nm的日盲波段,且宽禁带量子点适于室温乃至高温单光子发