In(Ga)As量子点分子束外延生长及其单光子源器件制备的任务书.docx

In(Ga)As量子点分子束外延生长及其单光子源器件制备的任务书
任务书
任务名称：In(Ga)As量子点分子束外延生长及其单光子源器件制备
任务目标：
1.研究In(Ga)As量子点在分子束外延生长中的生长条件和生长过程，探究其形态和特性。
2.制备高质量、高稳定性的In(Ga)As量子点结构，并将其应用于单光子源器件制备中。
3.验证In(Ga)As量子点作为单光子源器件的性能和可靠性。
任务内容：
1.In(Ga)As量子点生长条件的研究
（1）研究In(Ga)As量子点的成核条件和规律。
（2）研究In(Ga)As量子点在不同生长条件下的形态和特性。
（3）研究生长温度、生长速率等对In(Ga)As量子点形态和性质的影响。
2.In(Ga)As量子点结构制备
（1）通过优化生长条件制备具有高质量、高稳定性的In(Ga)As量子点结构。
（2）利用制备的In(Ga)As量子点结构制备单光子源器件，包括单光子发射二极管和单光子激发二极管。
3.单光子源器件性能验证
（1）对已制备的单光子源器件进行性能验证，包括发射功率、发光波长和光谱纯度等。
（2）验证单光子源器件的单光子发射性能和抗噪声性能。
（3）探究单光子源器件在量子通信、量子计算等领域的应用前景。
任务时间：
本任务完成时间为12个月。
任务成果：
1.In(Ga)As量子点在分子束外延生长中的生长条件和生长过程的研究报告。
2.高质量、高稳定性的In(Ga)As量子点结构制备方法和工艺流程。
3.单光子发射二极管和单光子激发二极管的制备方法和工艺流程。
4.单光子源器件性能验证结果。
5.单光子源器件在量子通信、量子计算等领域的应用前景及研究报告。
6.论文发表：至少发表1篇SCI论文。