半导体结构、芯片及其应用和膜层沉积方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115874154A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202310106571.2(22)申请日2023.02.13(71)申请人广州粤芯半导体技术有限公司地址510700广东省广州市黄埔区凤凰五路28号(72)发明人徐明李志华(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224专利代理师林青中(51)Int.Cl.C23C14/34(2006.01)H01L21/768(2006.01)C23C14/14(2006.01)C23C16/30(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图5页(54)发明名称半导体结构、芯片及其应用和膜层沉积方法(57)摘要本申请涉及半导体技术领域，特别是一种半导体结构、芯片及其应用和膜层沉积方法，以解决相关技术中SIP沉积所带来的在沉积过程中容易发生电弧缺陷，从而不利于车用电子产品的制作的问题。一种膜层沉积方法，包括：提供一组件层，组件层包括：基底层；采用惰性气体等离子体对包含待沉积金属的靶材进行溅射，生成待沉积金属的溅射原子；采用射频对溅射原子进行激发，形成包含待沉积金属离化离子的等离子体；向组件层施加交流电，利用交流电对待沉积金属离化离子在基底层上沉积进行控制；其中，在交流电的负半周内，待沉积金属离化离子在组件层的吸引作用下沉积在组件层上；在交流电的正半周内，组件层上的自由电子和交流电发生电中和。CN115874154ACN115874154A权利要求书1/2页1.一种膜层沉积方法，其特征在于，包括：提供一组件层，所述组件层包括：基底层；采用惰性气体等离子体对包含待沉积金属的靶材进行溅射，生成所述待沉积金属的溅射原子；采用射频对所述溅射原子进行激发，形成包含待沉积金属离化离子的等离子体；向所述组件层施加交流电，利用所述交流电对所述待沉积金属离化离子在所述基底层上沉积进行控制；其中，在交流电的负半周内，所述待沉积金属离化离子在所述组件层的吸引作用下沉积在所述组件层上，形成金属层；在所述交流电的正半周内，所述组件层上的自由电子和所述交流电发生电中和。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述组件层还包括设置于所述基底层上的具有至少一个通孔的第一膜层，所述金属层覆盖每个通孔的底壁和侧壁。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述采用惰性气体等离子体对包含待沉积金属的靶材进行溅射，包括：向所述靶材施加直流电，吸引惰性气体等离子体对所述靶材进行溅射。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述直流电的功率为2300~2500W。5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述射频的功率为1800~2200W，频率为2MHz。6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述交流电的功率为200~400W，频率为13.56MHz。7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述惰性气体等离子体所采用的惰性气体的流量为30~40sccm。8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述沉积时腔室的温度为200℃，所述沉积的时间为70~90s。9.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，还包括：采用金属有机化学气相沉积工艺，在所述组件层上形成金属化合物半导体层。10.一种半导体结构，其特征在于，包括：组件层，所述组件层包括：基底层；金属层，设置于所述基底层上；所述金属层通过如下方法制备得到：提供所述组件层；采用惰性气体等离子体对包含待沉积金属的靶材进行溅射，生成所述待沉积金属的溅射原子；采用射频对所述溅射原子进行激发，形成包含待沉积金属离化离子的等离子体；向所述组件层施加交流电，利用所述交流电对所述待沉积金属离化离子在所述组件层上沉积进行控制；其中，在交流电的负半周内，所述待沉积金属离化离子在所述组件层的吸引作用下沉积在所述组件层上，形成所述金属层；在所述交流电的正半周内，所述组件层上的自由电子和所述交流电发生电中和。2CN115874154A权利要求书2/2页11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述组件层还包括设置于所述基底层上的具有至少一个通孔的第一膜层，所述金属层覆盖每个通孔的底壁和侧壁。12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，还包括：金属化合物半导体层，所述金属化合物半导体层和所述金属层位于每个所述通孔中的部分共同组成阻挡层。13.一种芯片，其特征在于，包括：如权利要求10~12任一项所述的半导体结构。14.一种如权利要求13所述的芯片在车载电子产品中的应用。3CN115874154A说明书1/10页半导体结构、芯片及其应用和膜层沉积方法技术领域[0001]本申请涉及半导体技术领域，特别是一种半导体结构、芯片及其应用和膜层沉积方法。背景技术[0002]在半导体