一种反向电压保护电路及总线收发器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114614460A(43)申请公布日2022.06.10(21)申请号202210241454.2(22)申请日2022.03.11(71)申请人北京中科格励微科技有限公司地址100190北京市海淀区中关村南一条甲1号中科爱克大厦10层(72)发明人吴宗国杨靖张峰马春宇(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127专利代理师贾磊刘飞(51)Int.Cl.H02H11/00(2006.01)H02H3/20(2006.01)H02H3/18(2006.01)H04L12/40(2006.01)H04L12/10(2006.01)权利要求书4页说明书13页附图10页(54)发明名称一种反向电压保护电路及总线收发器(57)摘要本文提供了一种反向电压保护电路及总线收发器，所述反向电压保护电路包括：比较器，电路的输入端口和输出端口与所述比较器的输入端相连接，比较器用于比较所述输入端口和输出端口的电压，输出比较信号；触发电路，接收比较信号，根据比较信号导通/截止连接于输入端口和输出端口之间的MOS管；MOS管，用于防止输出端口的异常电压倒灌至输入端口，采用上述电路，可以比较输入端口和输出端口的电压来导通或者截止触发电路，通过触发电路控制MOS管在截止状态下，防止异常电压倒灌至输入端口中，以反向电压保护电路替代高压二极管的功能，可以减少高压二极管的使用，降低了芯片的制作难度和制造成本。CN114614460ACN114614460A权利要求书1/4页1.一种反向电压保护电路，其特征在于，包括：比较器，电路的输入端口和输出端口与所述比较器的输入端相连接，所述比较器用于比较所述输入端口和输出端口的电压，输出比较信号；触发电路，接收所述比较信号，根据所述比较信号导通/截止连接于所述输入端口和输出端口之间的MOS管；所述MOS管，用于防止所述输出端口的异常电压倒灌至所述输入端口。2.根据权利要求1所述的反向电压保护电路，其特征在于，当所述输入端口为电源VCC时，所述触发电路包括：第五NMOS管、第四PMOS管、第一反相器、第六NMOS管和第二PMOS管，所述输出端口为第零PMOS；所述第五NMOS管的栅极与所述比较器的输出端相连，所述第五NMOS管的源极接GND；所述第四PMOS管的栅极与所述第五NMOS管的栅极相连，所述第四PMOS管的漏极与所述第五NMOS管的漏极相连，所述第四PMOS管的源极接所述电源VCC；所述第一反相器的输入端与所述比较器的输出端相连；所述第六NMOS管的栅极与所述反相器的输出端相连，所述第六NMOS管的源极接所述GND；所述第二PMOS管的栅极与所述第五NMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极的连接点相连，所述第二PMOS管的漏极与所述第六NMOS管的漏极相连，所述第二PMOS管的源极与所述第零PMOS的源极相连。3.根据权利要求1所述的反向电压保护电路，其特征在于，当所述输入端口为GND时，所述触发电路包括：第五PMOS管、第四NMOS管、第二反相器、第六PMOS管和第二NMOS管，所述输出端口为第零NMOS；所述第五PMOS管的栅极与所述比较器的输出端相连，所述第五PMOS管的源极接电源VCC；所述第四NMOS管的栅极与所述第五PMOS管的栅极相连，所述第四NMOS管的漏极与所述第五PMOS管的漏极相连，所述第四NMOS管的源极接所述GND；所述第二反相器的输入端与所述比较器的输出端相连；所述第六PMOS管的栅极与所述反相器的输出端相连，所述第六PMOS管的源极接所述电源VCC；所述第二NMOS管的栅极与所述第五PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极的连接点相连，所述第二NMOS管的漏极与所述第六PMOS管的漏极相连，所述第二NMOS管的源极与所述第零NMOS的源极相连。4.根据权利要求1所述的反向电压保护电路，其特征在于，当所述输入端口包括电源VCC和GND时，包括两个比较器、两个触发电路、第一MOS管、第二MOS管、第零PMOS和第零NMOS，其中：第一比较器，所述电路的电源VCC和所述第零PMOS的漏极连接于所述第一比较器的输入端，所述第一比较器用于比较所述电源VCC和所述第零PMOS的漏极的电压，并输出第一比较信号；第一触发电路，接收所述第一比较信号，根据所述第一比较信号导通/截止连接于所述电源VCC和输出端口之间的所述第一MOS管；2CN114614460A权利要求书2/4页所述第一MOS管，用于防止所述第零PMOS的漏极处的异常电压倒灌至所述电源VCC；第二比较器，所述GND和所述第零NMOS的漏极连接于所述第二比较器的输入端，所述第二比较器用于比较所述GND和所述第零NMOS的漏极的电压，并输出第二比较信号；第二触发电路