喷镀用粉末及喷镀膜的制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115896672A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211217540.6(22)申请日2022.09.30(30)优先权数据2021-1620032021.09.30JP(71)申请人福吉米株式会社地址日本爱知县(72)发明人关康平冈本直树益田敬也伊部博之(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277专利代理师刘新宇李茂家(51)Int.Cl.C23C4/11(2016.01)C23C4/134(2016.01)权利要求书1页说明书14页附图6页(54)发明名称喷镀用粉末及喷镀膜的制作方法(57)摘要本发明涉及喷镀用粉末及喷镀膜的制作方法。提供：维持适于喷镀的流动性、且在喷镀时可以供给更微细化的陶瓷颗粒的技术。此处公开的喷镀用粉末由陶瓷颗粒构成。该喷镀用粉末的特征在于，将该喷镀用粉末以下述条件在水中进行大气压等离子喷镀后与该喷镀前相比时，该喷镀用粉末的基于激光衍射散射法的平均粒径(D50)的值至少减小25％。所述条件为：等离子工作气体：氩(Ar)气：50psi；及氦(He)气：50psi；等离子输出：36kW；喷镀用粉末的供给速度：20g/分钟；喷镀距离：400mm。CN115896672ACN115896672A权利要求书1/1页1.一种喷镀用粉末，其特征在于，由陶瓷颗粒构成，将该喷镀用粉末以下述条件在水中进行大气压等离子喷镀后与该喷镀前相比时，该喷镀用粉末的基于激光衍射散射法的平均粒径(D50)的值至少减小25％，所述条件为：等离子工作气体：氩(Ar)气：50psi；及氦(He)气：50psi等离子输出：36kW喷镀用粉末的供给速度：20g/分钟喷镀距离：400mm。2.根据权利要求1所述的喷镀用粉末，其静止角为40度以下。3.根据权利要求1或2所述的喷镀用粉末，其由氧化物陶瓷颗粒构成。4.根据权利要求1～3中任一项所述的喷镀用粉末，其中，所述陶瓷颗粒是由该陶瓷形成的一次颗粒的造粒烧结颗粒，所述陶瓷颗粒的表面的基于SEM观察的开孔的存在面积相对于该表面的总面积的比例的平均值为20％以上。5.根据权利要求1～4中任一项所述的喷镀用粉末，其中，所述陶瓷颗粒是由该陶瓷形成的一次颗粒的造粒烧结颗粒，对所述陶瓷颗粒的表面进行SEM观察时，该表面存在的开孔的最大直径Dmax与最小直径Dmin的比即Dmax/Dmin为1～1.8。6.根据权利要求4或5所述的喷镀用粉末，其中，所述一次颗粒的基于激光衍射散射法的平均粒径(D50)为0.5μm以上且5μm以下。7.根据权利要求1～6中任一项所述的喷镀用粉末，其堆密度为1.0以下。8.一种制作喷镀膜的方法，其中，对基材的表面喷镀权利要求1～7中任一项所述的喷镀用粉末从而制作喷镀膜。2CN115896672A说明书1/14页喷镀用粉末及喷镀膜的制作方法技术领域[0001]本发明涉及喷镀用粉末。另外，本发明涉及使用该喷镀用粉末制作喷镀膜的方法。背景技术[0002]通过用各种材料覆盖基材的表面而赋予新功能的技术一直以来被利用于各领域中。作为该表面覆盖技术的一例，已知有将由陶瓷形成的陶瓷颗粒以熔融状态吹送至基材的表面，由此形成由该陶瓷形成的喷镀膜的喷镀法。[0003]例如，半导体装置等制造领域中，有时利用使用氟、氯、溴等卤素系气体的等离子的干蚀刻，对半导体基板的表面实施微细加工。干蚀刻后，使用氧气等离子对取出半导体基板的腔室的内部进行清洁。该腔室内，暴露于反应性高的氧气等离子、卤素气体等离子的构件会被腐蚀。因此，半导体装置制造装置中，以防止等离子导致的腐蚀为目的，在暴露于氧气、卤素气体等的等离子的构件上设置有陶瓷的喷镀膜。[0004]专利文献1～3公开的喷镀法中，喷镀用的粉末材料(喷镀用粉末)以干燥状态供给于喷镀装置。为了稳定地进行喷镀用粉末对喷镀装置的供给，正在推进流动性得到改善的喷镀用粉末的开发。[0005]现有技术文献[0006]专利文献[0007]专利文献1：日本专利第6811188号公报[0008]专利文献2：日本专利第4630799号公报[0009]专利文献3：日本专利第6262716号公报发明内容[0010]发明要解决的问题[0011]另一方面，从改善喷镀膜的耐久性的观点来看，期望形成表面更光滑、致密性高的喷镀膜。作为改善喷镀膜的光滑性、致密性的手段，可举出例如更为减小构成喷镀用粉末的陶瓷颗粒的尺寸的方法。然而，若仅减小陶瓷颗粒的尺寸，则有喷镀用粉末的流动性降低的风险。因此，陶瓷颗粒的设计中尚有改善的余地。[0012]鉴于这样的状况，本发明的目的在于，提供一种维持适于喷镀的流动性、且喷镀时可以将更微细化的陶瓷颗粒供给于被喷镀物(基材)的技术。[0013]用于解决问题的方案[