OLED器件及其制备工艺.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115915813A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202111158104.1(22)申请日2021.09.30(71)申请人武汉华美晨曦光电有限责任公司地址430223湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道70号A115室(72)发明人金凌卢泓刘纪文(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243专利代理师卢霞(51)Int.Cl.H10K50/82(2023.01)H10K50/84(2023.01)H10K71/60(2023.01)权利要求书2页说明书6页附图4页(54)发明名称OLED器件及其制备工艺(57)摘要本发明公开了OLED器件及其制备方法，OLED器件包括依次连接于ITO基板上的阴极层、有机功能层和阳极层，所述阴极层上若干具有微纳结构，每一个所述微纳结构外表面上设有钝化层。周期性微纳结构的顶发射OLED器件阴极层制备工艺，采用多次曝光以及蒸镀处理，具有周期性微纳结构的底发射OLED器件阴极层制备工艺，用于制备器件结构为底发射OLED器件，微纳米结构主要是采用蒸镀过程中的若干块精密掩膜版来进行制备。本发明的OLED器件，通过在阴极层表面形成微纳结构，实现应急表面的致密平整减少了金属阴极端表面等离激元的损耗，以及提升了OLED器件的寿命。CN115915813ACN115915813A权利要求书1/2页1.OLED器件，包括依次连接于ITO基板(400)上的阴极层(100)、有机功能层(200)和阳极层(300)，其特征在于：所述阴极层(100)上若干具有微纳结构(110)，每一个所述微纳结构(110)外表面上设有钝化层(120)。2.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于：每一个所述微纳结构(110)，包括设置于阴极层(100)上的微纳窗口(111)，以及自微纳窗口(111)外沿的阴极层(100)向外表面突起的微纳突起(112)。3.根据权利要求2所述的OLED器件，其特征在于：设定每一个所述微纳结构(110)的微纳窗口(111)长度为L，宽度为M；其对应的微纳突起(112)的高度为H，则H/L的比例为0.1‑10。4.根据权利要求2所述的OLED器件，其特征在于：若干所述微纳结构(110)，位于阴极层(100)的整个阴极表面遍布，并且阵列排列，形成周期性微纳结构。5.根据权利要求4所述的OLED器件，其特征在于：若干所述微纳结构(110)，位于阴极层(100)的不发光表面布置，形成非周期性微纳结构。6.根据权利要求1‑5任意一项所述的OLED器件，其特征在于：每一个所述微纳窗口(111)内填充有绝缘结构(500)。7.根据权利要求6所述的OLED器件，其特征在于：所述绝缘结构(500)，贯穿阴极层(100)，并且嵌入至有机功能层(200)内，并且呈倒“T”形结构。8.根据权利要求6所述的OLED器件，其特征在于：所述OLED器件为顶发射器件或底发射器件。9.根据权利要求8所述的OLED器件，其特征在于：所述有机功能层(200)，包括依次连接的空穴传输层、发光层及电子传输层，或包括依次连接的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层构成；或者包括依次连接的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层及电子注入层构成。10.根据权利要求8所述的OLED器件，其特征在于：所述OLED器件为单色光、复合光和白光中的其中一种。11.具有周期性微纳结构的顶发射OLED器件阴极层制备工艺，其特征在于：S1：清洗ITO基板，随后对ITO表面进行涂胶，所涂的胶体厚度从0.1μm到2μm；S2：将S1得到的涂胶后的ITO基板进行曝光，并且进行显影及定影、金属化，所述金属化的厚度为0.1μm到0.5μm；S3：S2得到的ITO基板进行浸泡溶脱去除工艺，将中间部分的金属去除形成图案；S4：二次涂胶，二次涂胶的厚度高于第一次金属化的厚度，厚度差控制在0.05μm‑0.1μm；S5：将二次涂胶后的ITO基板进行二次曝光，随后进行显影及定影以及第二次金属化；S6：将S3得到的ITO基板进行第三次涂胶，并随后显影及定影；2CN115915813A权利要求书2/2页S7：将所述S6得到的ITO基板进行蒸镀。12.根据权利要求9所述的具有周期性微纳结构的顶发射OLED器件阴极层制备工艺，其特征在于：步骤S5中，在定影后ITO基板露出的图形存在一个具有深宽比为1‑5的凹槽型结构，所述的凹槽型结构的高度由第二次涂胶后的厚度来决定的，其设置为确保金属化的材料能够进入到凹槽。13.具有周期性微纳结构的底发射OLED器件阴极层制备工艺，其特征在于：包括如下步骤：S1：在带有阳极的ITO基板上依次沉积有机功能层，所述有机功