半导体结构的制造方法及半导体结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115910760A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211380027.9(22)申请日2022.11.04(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人王少伟(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260专利代理师成丽杰(51)Int.Cl.H01L21/033(2006.01)权利要求书2页说明书12页附图6页(54)发明名称半导体结构的制造方法及半导体结构(57)摘要本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，在至少部分第一结构沿第一方向相对的侧壁上形成第一侧墙，该第一结构与其侧壁的第一侧墙构成第一掩膜，以增大部分第一结构的宽度，并通过以具有第一开口的第一图形层为掩膜，沿第一开口去除至少部分第二结构邻近相邻第一结构的部分区域，该部分第二结构的剩余区域构成第二掩膜，以减小该部分第二结构的宽度，并能够增大该部分第二结构与相邻第一结构之间的间距。如此，本公开实施例至少可以形成在沿第一方向上宽度差异较小、间距较大的第一掩膜、第二掩膜。CN115910760ACN115910760A权利要求书1/2页1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有第一图案化层，所述第一图案化层包括间隔交替排布的多个第一结构以及多个第二结构，且在沿第一方向上，至少部分所述第一结构的宽度小于部分所述第二结构的宽度；形成第一侧墙，所述第一侧墙至少位于部分所述第一结构沿所述第一方向的相对侧壁上，所述第一结构以及位于所述第一结构侧壁的所述第一侧墙构成第一掩膜；形成第一图形层，所述第一图形层位于所述第一侧墙、所述第一结构、所述基底以及所述第二结构上，且所述第一图形层内还具有贯穿所述第一图形层的第一开口，所述第一开口至少与部分所述第二结构中邻近所述第一结构的部分区域正对；以所述第一图形层为掩膜，沿所述第一开口去除至少部分所述第二结构中邻近所述第一结构的部分区域，所述第二结构的剩余部分构成第二掩膜；去除所述第一图形层。2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述第一侧墙之前，还包括：形成第二图形层，所述第二图形层覆盖所述第一结构、所述第二结构以及所述基底，所述第二图形层内具有贯穿所述第二图形层的第二开口，所述第二开口露出至少部分所述第一结构，且还露出与所述第一结构邻近的所述基底的部分区域；形成所述第一侧墙的工艺步骤中，还在所述第二图形层侧壁形成所述第一侧墙；所述制造方法还包括：去除位于部分所述第一结构侧壁的所述第一侧墙，去除位于所述第二图形层侧壁的所述第一侧墙；去除所述第二图形层。3.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第一侧墙的工艺步骤包括：在所述第一结构顶面和侧壁、所述第二图形层顶面和侧壁以及所述基底上形成所述第一侧墙；去除位于所述第一结构顶面、所述第二图形层顶面以及部分所述基底上的所述第一侧墙，保留位于所述第一结构侧壁以及所述第二图形层侧壁的所述第一侧墙。4.如权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，去除位于所述第二图形层侧壁的所述第一侧墙的步骤包括：去除所述第二图形层，保留位于所述第二图形层侧壁的所述第一侧墙作为目标侧墙；形成第三图形层，所述第三图形层位于所述第一结构、所述第一侧墙以及所述基底上，所述第三图形层具有贯穿所述第三图形层的第三开口，且所述第三开口与所述目标侧墙正对；以所述第三图形层为掩膜，沿所述第三开口去除所述目标侧墙；去除所述第三图形层。5.如权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，去除位于所述第二图形层侧壁的所述第一侧墙的方法，包括：去除所述第二图形层，保留位于所述第二图形层侧壁的所述第一侧墙作为目标侧墙；在形成所述第一图形层的工艺步骤中，所述第一开口还与所述目标侧墙正对；2CN115910760A权利要求书2/2页以所述第一图形层为掩膜，沿所述第一开口去除所述第二结构中邻近所述第一结构的部分区域的工艺步骤中，还去除所述目标侧墙。6.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第一侧墙的步骤包括：形成第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述第一结构顶面和侧壁、所述第二结构顶面和侧壁，且还覆盖所述第一结构与所述第二结构之间的所述基底表面；在形成所述第一图形层的工艺步骤中，所述第一开口还与位于所述第二结构侧壁的所述第一侧墙正对；在沿所述第一开口去除至少部分所述第二结构中邻近所述第一结构的部分区域的工艺步骤中，还包括：去除位于所述第二结构侧壁的所述第一侧墙。7.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述第一图形层之前，还包括：去除位于所述第一结构顶面、