一种ITO平面靶快速烧结脱脂方法及其使用的承托板.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115894009A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211420188.6(22)申请日2022.11.14(71)申请人先导薄膜材料（广东）有限公司地址511517广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号A区(72)发明人李帅尹琳李叶李明鸿林宇鹏(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202专利代理师费雯(51)Int.Cl.C04B35/453(2006.01)C04B35/622(2006.01)C04B35/638(2006.01)F27D5/00(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称一种ITO平面靶快速烧结脱脂方法及其使用的承托板(57)摘要本发明公开了一种ITO平面靶快速烧结脱脂的方法，属于靶材制备技术领域。该方法通过使用特殊结构的承托板承托ITO平面靶材进行烧结，并配合特定的烧结工艺，不仅可有效解决传统ITO平面靶烧结脱脂过程中耗时长且上下面温差较大的问题，同时不会造成ITO靶材发生额外变形的问题，所得产品翘曲度低，相对密度高。本发明还公开了应用于所述方法的ITO平面靶烧结脱脂用承托板。CN115894009ACN115894009A权利要求书1/1页1.一种ITO平面靶快速烧结脱脂方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将经过成型的ITO平面靶放置在承托板上；所述承托板自下而上包括底部的支持圆筒以及承载ITO平面靶的承载板；所述承载板上设有平面分布且规格相同的导热圆孔，其中导热圆孔的孔直径≤50mm，孔间隔距离为10～50mm；所述承载板的非导热圆孔区域上还设有一层耐热沙；(2)先对ITO平面靶进行预热，随后以0.5～3℃/min的升温速率升温至550～650℃进行一段保温处理，随后以2～8℃/min的升温速率升温至850～950℃，最后以1～5℃/min的升温速率升温至1500～1600℃并在氧气氛围下进行二段保温处理，降温，即完成ITO平面靶的烧结脱脂。2.如权利要求1所述ITO平面靶快速烧结脱脂方法，其特征在于，所述承载板为氧化铝制备的承载板，纯度＞99.5％，表面粗糙度≤0.2μm，厚度为18～22mm。3.如权利要求1所述ITO平面靶快速烧结脱脂方法，其特征在于，所述支撑圆筒为氧化铝支撑圆筒，长度≤50mm，直径为25～35mm。4.如权利要求1所述ITO平面靶快速烧结脱脂方法，其特征在于，所述耐热沙经70～90目过筛处理。5.如权利要求1所述ITO平面靶快速烧结脱脂方法，其特征在于，所述步骤(3)中预热的条件为：以1～5℃的升温速率升温至80～120℃，随后保温1～5h。6.如权利要求1所述ITO平面靶快速烧结脱脂方法，其特征在于，所述步骤(3)中一段保温处理的时间为1～5h，二段保温处理的时间为5～30h。7.一种ITO平面靶烧结脱脂用承托板，其特征在于，自下而上包括支撑圆筒以及靶材承载板；所述靶材承载板平面设置有均匀分布的导热圆孔，所述导热圆孔直径≤50mm，孔间隔距离为10～50mm，所述靶材承载板平面的非导热圆孔区域还设置有耐热沙层。8.如权利要求7所述ITO平面靶烧结脱脂用承托板，其特征在于，所述靶材承载板和支撑圆筒的材质为氧化铝。9.如权利要求7所述ITO平面靶烧结脱脂用承托板，其特征在于，所述靶材承载板的厚度为18～22mm，所述支撑圆筒的长度≤50mm，直径为25～35mm。10.如权利要求9所述ITO平面靶烧结脱脂用承托板，其特征在于，所述支撑圆筒的数量为4根。2CN115894009A说明书1/6页一种ITO平面靶快速烧结脱脂方法及其使用的承托板技术领域[0001]本发明涉及靶材制备技术领域，具体涉及一种ITO平面靶快速烧结脱脂方法及其使用的承托板。背景技术[0002]ITO薄膜是一种一般由ITO靶材经过磁控溅射形成的薄导电膜，因其具有良好的透明度和导电性，被广泛应用于光电子领域，具有应用在于制备电子显示屏、智能手机元件、太阳能异质结电池中。然而，由于技术的发展，目前的ITO薄膜产量已跟不上需求量，导致其制备原料ITO靶材尤其是利用率较低的ITO平面靶的需求空间也逐渐增大。[0003]目前的ITO平面靶材常用常压烧结工艺进行加工，然而由于加工过程中ITO平面靶需要放置在加工台上，导致其底面无法实现排气，导致整个烧结脱脂过程耗时较长，同时靶材的上下面温度也会产生差异，导致最终烧结的靶材翘曲较大，同时密度偏低。[0004]CN212419632U公开了一种靶材烧结承托板，通过底部设置的矩形导流槽可实现靶材烧结时的底部热空气导流，同时保持温度均衡。但矩形导流槽需要整体贯穿承托板才能实现导流，导致该承托板在使用太久后容易受靶材重量影响压弯变形，使用寿命远不如截面实