抛光液提供装置、抛光设备和抛光方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115890456A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211709077.7(22)申请日2022.12.29(71)申请人西安奕斯伟材料科技有限公司地址710065陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室(72)发明人贺云鹏王贺(74)专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙)61253专利代理师宋东阳李斌栋(51)Int.Cl.B24B29/02(2006.01)B24B41/04(2006.01)B24B57/02(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称抛光液提供装置、抛光设备和抛光方法(57)摘要本公开涉及抛光液提供装置、抛光设备和抛光方法，该抛光液提供装置用于在抛光中向抛光垫提供抛光液并且包括喷管结构，喷管结构设置有多个喷口，所述多个喷口布置成分别用于向抛光垫的在径向方向上的不同位置喷射抛光液，并且配置成使得向抛光垫的中心和边缘喷射的抛光液的抛光去除能力小于向抛光垫的位于中心与边缘之间的中间区域喷射的抛光液的抛光去除能力。通过本公开的抛光液提供装置、抛光设备和抛光方法，实现了对硅片表面平坦度的改善。CN115890456ACN115890456A权利要求书1/1页1.一种抛光液提供装置，其用于在抛光中向抛光垫提供抛光液，其特征在于，包括喷管结构，所述喷管结构设置有多个喷口，所述多个喷口布置成分别用于向所述抛光垫的在径向方向上的不同位置喷射抛光液，并且配置成使得向所述抛光垫的中心和边缘喷射的抛光液的抛光去除能力小于向所述抛光垫的位于中心与边缘之间的中间区域喷射的抛光液的抛光去除能力。2.根据权利要求1所述的抛光液提供装置，其特征在于，所述喷管结构包括一个喷管，其中，所述多个喷口沿所述喷管的延伸方向设置在所述喷管上。3.根据权利要求1所述的抛光液提供装置，其特征在于，所述喷管结构包括多个喷管，其中，所述多个喷管中的每个喷管上均设置有所述多个喷口中的一个喷口。4.根据权利要求3所述的抛光液提供装置，其特征在于，所述多个喷管是相互独立的。5.根据权利要求3或4所述的抛光液提供装置，其特征在于，所述多个喷管中的每一个均从与所述抛光垫的中心对应的位置延伸至与所述抛光垫的边缘对应的位置，并且所述多个喷管对应于所述抛光垫的周向方向彼此间隔分布。6.根据权利要求1至4中的任一项所述的抛光液提供装置，其特征在于，所述多个喷口配置成通过喷射不同流量的抛光液来使向所述抛光垫的中心和边缘喷射的抛光液的抛光去除能力小于向所述抛光垫的位于中心与边缘之间的中间区域喷射的抛光液的抛光去除能力。7.根据权利要求1或4所述的抛光液提供装置，其特征在于，所述多个喷口配置成通过喷射不同浓度或不同温度的抛光液来使向所述抛光垫的中心和边缘喷射的抛光液的抛光去除能力小于向所述抛光垫的位于中心与边缘之间的中间区域喷射的抛光液的抛光去除能力。8.一种抛光设备，其特征在于，包括：根据权利要求1至7中的任一项所述的抛光液提供装置；抛光头，其用于保持待抛光的硅片；以及抛光垫，其设置在所述抛光头的下方以用于通过由所述抛光液提供装置提供至所述抛光垫的抛光液对通过所述抛光头而与所述抛光垫接触的所述硅片进行抛光。9.一种抛光方法，其特征在于，所述抛光方法使用根据权利要求8所述的抛光设备进行，所述抛光方法包括：通过所述抛光液提供装置向所述抛光垫提供抛光液以使得向所述抛光垫的中心和边缘喷射的抛光液的抛光去除能力小于向所述抛光垫的中间区域喷射的抛光液的抛光去除能力；以及通过所述抛光头使待抛光的硅片与所述抛光垫接触以对所述硅片进行抛光。2CN115890456A说明书1/5页抛光液提供装置、抛光设备和抛光方法技术领域[0001]本公开涉及半导体加工制造技术领域，具体地，涉及抛光液提供装置、抛光设备和抛光方法。背景技术[0002]随着半导体技术的不断发展，对硅片表面的平坦度的要求越来越高。在硅片制造过程中，可以通过抛光工艺来对硅片的平坦度进行改善。抛光过程通常包括对硅片的正反两面进行抛光的双面抛光步骤和仅对硅片的正面进行抛光的最终抛光步骤。[0003]在最终抛光中，吸附至抛光头的硅片被压在布置在抛光头的下方的抛光垫上以借助于抛光垫对硅片的正面进行抛光，其中，在抛光时，硅片和抛光垫始终处于旋转中。[0004]然而，由于旋转带来的离心作用，抛光液容易聚集在硅片的边缘处，导致硅片边缘的抛磨程度相比于硅片中央要大；而且由于硅片被压在抛光垫上，抛光垫被压缩变形并会在硅片的靠近倒角的外缘处施加较大的作用，也会对硅片边缘产生相对于硅片中央更强的抛磨作用，这些会导致硅片边缘的厚度相比于硅片中央变薄，从而使硅片表面的平坦度恶化。发明内容[0005]本部分提供了本公开的总体概要