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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115900327A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211721277.4H01L21/67(2006.01)(22)申请日2022.12.30(71)申请人凯盛光伏材料有限公司地址233010安徽省蚌埠市燕南路1001号(72)发明人吴以军刘小雨邱景波邱峰蒋继文李孙波许德东陈科宇王雨婷(74)专利代理机构蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司34102专利代理师王琪(51)Int.Cl.F27B5/05(2006.01)F27B5/14(2006.01)F27B5/18(2006.01)F27B5/06(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称红外加热装置(57)摘要本发明涉及热处理设备技术领域,尤其涉及一种真空退火炉,特别涉及一种红外加热装置;所述红外加热装置,箱体的腔室内设置有样品室以及环绕样品室排列布置的近红外辐射加热管;所述箱体包括内、外间隔设置的第一壳体和第二壳体,第一壳体和第二壳体之间构成间隙。本发明具有下述有益技术效果:提出一种红外加热装置,将传统真空退火炉的炉壁改进成由间隙构成的真空夹腔结构,可以极大增加近红外辐射加热管热辐射利用率的同时,降低被加热材料的红外辐射热损。CN115900327ACN115900327A权利要求书1/1页1.一种红外加热装置,其特征在于:箱体(10)的腔室内设置有样品室(20)以及环绕样品室(20)排列布置的近红外辐射加热管(30);所述箱体(10)包括内、外间隔设置的第一壳体(12)和第二壳体(13),第一壳体(12)和第二壳体(13)之间构成间隙(14)。2.根据权利要求1所述的红外加热装置,其特征在于:所述第二壳体(13)的内壁上贴附设置有红外反射挡板(90),所述红外高反挡板(90)包括陶瓷板和镀制于陶瓷板板面上的红外反射涂层。3.根据权利要求1所述的红外加热装置,其特征在于:所述样品室(20)包括由陶瓷和/或石墨构成的立面框架和由陶瓷制成的盖板和底板;所述盖板和底板具有在800nm~3500nm之间的红外透射性能。4.根据权利要求1所述的红外加热装置,其特征在于:所述近红外辐射加热管(30)在箱体(10)的腔室内均匀分布2‑100个,近红外辐射加热管(30)的辐射波长为800~3500nm。5.根据权利要求1所述的红外加热装置,其特征在于:第一真空管路(40)自箱体(10)外延伸进入箱体(10)内并与间隙(14)连通,所述第一真空管路(40)上设有第一阀门(41)、第一真空泵(42)和第一真空计(43)。6.根据权利要求1所述的红外加热装置,其特征在于:第二真空管路(50)自箱体(10)外延伸进入箱体(10)的腔室内,所述第二真空管路(50)上设有第二阀门(51)、第二真空泵(52)和第二真空计(53)。7.根据权利要求1所述的红外加热装置,其特征在于:第一进气管路(60)自箱体(10)外通向箱体(10)的腔室内,所述第一进气管路(60)上设有第一流量计(61)。8.根据权利要求1所述的红外加热装置,其特征在于:第二进气管路(70)自箱体(10)外通向样品室(20)的腔室内,所述第二进气管路(70)上设有第二流量计(71)。9.根据权利要求1所述的红外加热装置,其特征在于:排气管路(80)自箱体(10)的腔室内通向箱体(10)外,排气管路(80)上设置有过压阀(81)。10.根据权利要求5所述的红外加热装置,其特征在于:所述间隙(14)处的真空度为0.0001pa~100000pa,所述红外加热装置的热处理温度为300~800℃。2CN115900327A说明书1/3页红外加热装置技术领域[0001]本发明涉及热处理设备技术领域,尤其涉及一种真空退火炉,特别涉及一种红外加热装置。背景技术[0002]真空退火炉是一种半导体加工行业中的热处理设备,可以用于集成电路、分立器件、光伏器件的热处理,通过退火和烧结处理,消除材料内部应力并均一化金相组织,提高材料的疲劳强度、塑性、韧性和耐腐蚀性,同时能防止材料在高温环境中的氧化和污染。[0003]中国专利申请CN106498129A公开了一种电磁真空退火炉,真空腔体中设置有隔热屏,样品架置于隔热屏中,利用红外灯管组件辐射加热。然而,隔热屏难以有效阻隔热量耗散,设备保温效果不理想,仍然存在红外辐射热损大的能源浪费问题。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种红外加热装置,在对大面积片状物实施高温加热过程中,可以提供更高的加热效率,更均匀的加热效果,更纯净的加热气氛和更低的加热能耗。[0005]一种红外加热装置,箱体的腔室内设置有样品室以及环绕样品室排列布置的近红外辐射加热管;所述箱体包括内、外间隔设置的第一壳体和第二壳体,第一