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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115942816A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202111192471.3(22)申请日2021.10.13(66)本国优先权数据202111158105.62021.09.30CN(71)申请人武汉华美晨曦光电有限责任公司地址430223湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道70号A115室(72)发明人卢泓叶子云刘纪文(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243专利代理师卢霞(51)Int.Cl.H10K59/131(2023.01)H10K59/179(2023.01)H10K71/00(2023.01)权利要求书2页说明书8页附图3页(54)发明名称电致发光器件及其制备方法(57)摘要本发明公开了电致发光器件及其制备方法,电致发光器件包括基板以及置于其上的第一电极层,并且第一电极层具有至少两个像素单元,若干像素单元相互靠近的边缘之间设置像素隔断主区,并且在像素隔断主区内设置辅助电极层的像素连接部,最外部边缘之间通过辅助电极层的外部连接部连接;同时每一个像素单元,被一根靠近像素连接部位置附近设置的像素隔断辅区隔开,分隔为发光区和像素引出区;每一个像素引出区,供给其对应的发光区依次连接像素连接部、外部连接部和外部电源,像素连接区、像素引出区、像素发光区构成一组防短路单元。本发明提供了既可以满足提高器件的稳定性,又有工艺简单,实用性高以及开口率较高的电致发光器件。CN115942816ACN115942816A权利要求书1/2页1.电致发光器件,包括基板(100)以及置于其上的第一电极层(200),并且所述第一电极层(200)具有至少两个像素单元(210),其特征在于:若干所述像素单元(210),相互靠近的边缘之间设置像素隔断主区(220),并且在像素隔断主区(220)内设置辅助电极层的像素连接部(320),所述像素连接部(320)最终通过辅助电极层的外部连接部(310)连接至外部电源;同时每一个所述像素单元(210),被一根靠近像素连接部(320)位置附近设置的像素隔断辅区(230)划分为两个局部相连的发光区(211)和像素引出区(212);每一个所述像素引出区(212),供给其对应的发光区(211)依次连接像素连接部(320)、外部连接部(310)和外部电源,像素连接区(320)、像素引出区(212)、像素发光区(211)构成一组防短路单元。2.根据权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于:所述像素引出区(212)为窄条状导电材料。3.根据权利要求2所述的电致发光器件,其特征在于:每一个所述像素单元(210)的像素隔断辅区(230)为V型、L型和T型结构中的一种或者数种结合,同时沿其外侧形成的像素引出区(212)也为对应的V型、L型及T型结构。4.根据权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于:每一个所述像素单元(210)的像素引出区(212),其长度与宽度比大于等于5:1。5.根据权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于:每一个所述像素单元(210)的像素引出区(212)的方块电阻在5Ω/□‑10000Ω/□之间;其对应的像素连接区(320)的方阻在0.01Ω/□‑1000Ω/□之间。6.根据权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于:并列或者串联设置的多个所述像素单元(210)的像素发光区(211)均通过对应的像素引出区(212)连接至同一像素连接区(320)上。7.根据权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于:所述第一电极层(200)位于辅助电极层的顶部位置还设有绝缘层(400)。8.根据权利要求7所述的电致发光器件,其特征在于:所述绝缘层(400)为有机材料、无机材料两者中的一种或者两种的组合。9.根据权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于:所述像素发光区(211)的形状为线段、弧形或者多边形的一种或者几种的组合。10.根据权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于:所述像素隔断主区(220)的宽度大于其对应的像素连接部(320)的宽度。11.根据权利要求1‑10任意一项所述的电致发光器件,其特征在于:若干所述像素单元(210)为阵列排布或镜像排布。12.电致发光器件的制备方法,用于制备权利要求1‑11任意一项所述的电致发光器件,其特征在于:所述制备方法包括如下步骤:S1.在基板(100)上形成第一电极层(200);S2.图案化第一电极层,在第一电极层(200)内形成像素发光区(211)和像素引出区(212)、像素隔断主区(220)和像素隔断辅区(230);2CN115942816A权利要求书2/2页S3.在图案化的第一电极层(200)上形成图案化的辅助电极层,其中:所述像素连接部(320)形成于所述像素隔断主区(2