软X射线遮光膜及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102779558A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102779558A(43)申请公布日2012.11.14(21)申请号201210289501.7(22)申请日2012.08.14(71)申请人中国科学院高能物理研究所地址100049北京市石景山区玉泉路19号乙院(72)发明人陈田祥胡渭孙庆荣陈勇李晓军(74)专利代理机构隆天国际知识产权代理有限公司72003代理人冯志云郑特强(51)Int.Cl.G21F1/12(2006.01)G21F1/00(2006.01)权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书55页页附图附图44页(54)发明名称软X射线遮光膜及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种软X射线遮光膜，包括高分子材料薄膜、支撑网及铝层，其中，所述支撑网设置于所述高分子材料薄膜上，所述铝层包覆在所述高分子材料薄膜及支撑网表面上。该软X射线遮光膜覆盖有铝膜，可仅透过软X射线而阻止其它光线，且具有良好的力学性能。本发明同时还提供了该软X射线遮光膜的制备方法。CN1027958ACN102779558A权利要求书1/2页1.一种软X射线遮光膜，其特征在于，包括高分子材料薄膜、支撑网及铝层，其中，所述支撑网设置于所述高分子材料薄膜上，所述铝层包覆在所述高分子材料薄膜及支撑网表面上。2.如权利要求1所述的软X射线遮光膜，其特征在于，所述高分子材料薄膜为聚酰亚胺薄膜，所述支撑网为镍网。3.如权利要求2所述的软X射线遮光膜，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜厚度为500纳米，所述镍网厚度为500微米以下，所述铝层厚度为100-500纳米。4.一种制备如权利要求1至3所述的软X射线遮光膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：A．制备聚酰亚胺薄膜；B．利用微电铸方法在所述聚酰亚胺薄膜上制备镍网；C．在附有所述镍网的聚酰亚胺薄膜上蒸镀铝层。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，制备聚酰亚胺薄膜包括以下步骤：a．利用二酐与二胺在非质子极性溶剂中制备聚酰胺酸溶液；b．提供一基板，旋涂所述聚酰胺酸溶液于所述基板上形成聚酰胺酸薄膜；c．将所述聚酰胺酸薄膜高温环化为聚酰亚胺薄膜；其中，所述二胺包含4，4’-二氨基二苯醚、对苯二胺、4,4’-二氨基二苯砜及其混合物中的一种；二酐包含均苯四酸二酐、3，3’，4,4’-联苯四羧酸二酐、3，3’，4，4’-二苯甲酮四羧酸二酐以及混合物中的一种；所述非质子极性溶剂包含N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺或N-甲基-2-吡咯烷酮；所述基片包括硅片、石英片或玻璃片；所述高温环化的温度为350-400℃，时间为4小时。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在将所述聚酰胺酸薄膜高温环化为聚酰亚胺薄膜前，先在80℃条件下烘20分钟，以烘干大部分溶剂。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，利用微电铸方法在所述聚酰亚胺薄膜上制备镍网包括以下步骤：d.在所述聚酰亚胺薄膜上涂覆厚度第一光刻胶层，所述第一光刻胶层与所述镍网图案互补；e．在所述聚酰亚胺薄膜及第一光刻胶层表面上镀导电种子层；f．去除所述第一光刻胶层及覆盖在所述第一光刻胶层表面上的导电种子层，所述导电种子层与所述镍网图案一致；g．在所述聚酰亚胺薄膜及所述导电种子层上涂覆第二光刻胶层；h．去除导电种子层上的第二光刻胶层；i．在裸露的导电种子层上进行微电铸镍网，所述镍网厚度不超过第二光刻胶层；j．去除所述聚酰亚胺薄膜上残留的第二光刻胶层；k．去除所述基板。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一光刻胶层包括AZ4620，厚度为3-10微米，所述第二光刻胶层包括SU8-2000系列光刻胶、用X光源对应的PMMA、KMPR和AZ50XT系列光刻胶，厚度为500微米以下，所述导电种子层包括Cr/Cu，Cr/Au，Ti/Cu或Ti/Au。9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述e步骤的工艺包括真空热蒸镀、电子束2CN102779558A权利要求书2/2页蒸镀和磁控溅射方法。10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述f步骤中使用去胶剂，所述去胶剂与所述第一光刻胶层相匹配。11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述去胶剂为丙酮。12.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述h步骤中利用与所述镍网一致的掩膜版曝光显影后，使得所述导电种子层暴露出来。13.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述j步骤中配合Omnicoat使用。14.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述k步骤是放入混有酒精的水溶液中沸煮约4小时。15.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述i步骤中，电镀液为氨基磺酸镍电镀体系，其中，氨基磺酸镍（500～600g/L），氯化镍（5～15g/L），硼酸（30～40g/L），PH值（3