一种异形半导体晶片及其制备方法.pdf

本发明涉及一种异形半导体晶片及其制备方法，其中所述方法包括以下步骤：(1)由一种晶棒切割出晶片；(2)对晶片进行表面研磨加工；(3)将晶片解理成异形晶片；(4)对异形晶片进行磨边处理；(5)将异形晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上，对晶片进行粗抛光，然后进行精抛光，其中所述支撑物为刚性的平板。还任选对精抛后的异形晶片进行表面清洗处理。

2023-06-03

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一种异形半导体晶片及其制备方法.pdf

本发明涉及一种异形半导体晶片及其制备方法，其中所述方法包括以下步骤：(1)由一种晶棒切割出晶片；(2)对晶片进行表面研磨加工；(3)将晶片解理成异形晶片；(4)对异形晶片进行磨边处理；(5)对晶片进行粗抛光，然后进行精抛光，其中将异形晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上，支撑物无异形晶片的一侧固定至抛光机的上盘，其中所述支撑物为刚性的平板。还任选对精抛后的异形晶片进行表面清洗处理。

2023-06-03

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一种超薄半导体晶片及其制备方法.pdf

本发明涉及一种制备超薄半导体晶片及其制备方法，所述晶片厚度为150-400微米，表面微粗糙度为0.2-0.5纳米。其制备方法包括(1)由一种晶棒切割出厚度为250-500微米的晶片；(2)将晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上，其中所述支撑物为刚性的平板；(3)在研磨机上研磨固定在支撑物上的晶片，(4)对固定在支撑物上的晶片进行粗抛光，然后进行精抛光。还任选地包括对精抛光后的晶片进行表面清洗处理。但是所述超薄半导体晶片不包括下列晶片：直径小于或等于5.12厘米、厚度为350-400微米的晶片；直径为5.12

2023-06-03

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半导体晶片以及制备半导体器件的方法.pdf

本公开涉及半导体晶片以及制备半导体器件的方法。本发明提供了一种半导体晶片，半导体晶片具有基础材料，基础材料具有第一厚度以及第一表面和第二表面。晶片划线标记设置在基础材料的第一表面上。移除基础材料的第二表面的内部区的一部分以得到小于第一厚度的第二厚度，同时留下围绕半导体晶片的具有第一厚度和非对称宽度的基础材料的边缘支撑环。基础材料的第二厚度小于75微米。晶片划线标记设置在边缘支撑环内。基础材料的第二表面的内部区的移除部分从晶片划线标记垂直偏移。边缘支撑环的宽度较宽以包围晶片划线标记并且在围绕半导体晶片的其它

2023-11-19

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半导体晶片及其制造方法.pdf

本公开涉及一种在PSS衬底上沿半极性面外延生长GaN基片的方法，包括：在PSS衬底上在处理腔室内的第一温度环境下沿着半极性面外延生长成平坦的第一GaN半导体层；停止施加Ga载气，在处理腔室内第三温度环境下施加Si载气，从而采用MOCVD方式在第一GaN半导体层表面生成第三厚度的氮化硅层；停止施加硅载气，并将处理腔室内温度升高到第四温度从而使得氮化硅层部分熔化而形成氮化硅岛体；在第一温度下，在之前生成的第一GaN半导体层的表面以及氮化硅岛体的侧壁上继续外延生长形成第一GaN半导体层，直到最后包裹并覆盖氮化硅

2023-12-04

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