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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115939062A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202211489288.4(22)申请日2022.11.25(71)申请人四川九洲电器集团有限责任公司地址621000四川省绵阳市科创园区九华路6号(72)发明人李超王美冲刘亚军(74)专利代理机构成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220专利代理师张雪萍(51)Int.Cl.H01L23/367(2006.01)H01L23/373(2006.01)H01L25/04(2023.01)H01L21/48(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图3页(54)发明名称一种三维堆叠芯片封装基板的散热结构及其制作方法(57)摘要本发明公开了一种三维堆叠芯片封装基板的散热结构及其制作方法,包括:顶层裸芯片、中间层裸芯片和底层裸芯片,底层裸芯片的一端面与中间层裸芯片贴合,中间层裸芯片的另一端面与顶层裸芯片贴合,底层裸芯片的另一端面贴合有倒装芯片,封装基板的一端面贴合倒装芯片,引线键合信号线键合连接于顶层裸芯片和封装基板,第一引线键合地线键合连接于中间层裸芯片和封装基板,接地散热焊带设置在封装基板上,接地散热片连接于接地散热焊带,接地散热片通过第二引线键合地线键合连接于顶层裸芯片和中间层裸芯片,本发明的有益效果:接地散热焊带将所有芯片的热量进行汇聚,不仅让三维堆叠封装的散热效率提高而且还减少了散热空间。CN115939062ACN115939062A权利要求书1/2页1.一种三维堆叠芯片封装基板的散热结构,其特征在于,包括:顶层裸芯片(1);中间层裸芯片(2);底层裸芯片(3),该底层裸芯片(3)的一端面与所述中间层裸芯片(2)贴合,中间层裸芯片(2)的另一端面与所述顶层裸芯片(1)贴合,底层裸芯片(3)的另一端面贴合有倒装芯片(4);封装基板(7),该封装基板(7)的一端面贴合所述倒装芯片(4),引线键合信号线(5)键合连接于顶层裸芯片(1)和封装基板(7),第一引线键合地线(6)键合连接于中间层裸芯片(2)和封装基板(7);接地散热焊带(11),用于将裸芯片的热传到封装基板(7)的外部,该接地散热焊带(11)设置在封装基板(7)上;接地散热片(12),用于对裸芯片产生的热进行传导,该接地散热片(12)连接于接地散热焊带(11),接地散热片(12)通过第二引线键合地线(14)键合连接于顶层裸芯片(1)和中间层裸芯片(2)。2.根据权利要求1所述的一种三维堆叠芯片封装基板的散热结构,其特征在于,所述引线键合信号线(5)和第一引线键合地线(6)直接键合连接在所述接地散热片(12)上或引线键合信号线(5)和第一引线键合地线(6)通过所述第二引线键合地线(14)键合连接在接地散热片(12)上。3.根据权利要求1所述的一种三维堆叠芯片封装基板的散热结构,其特征在于,所述封装基板(7)的另一端面连接有BGA焊球(8),所述BGA焊球(8)的下端和印制板(9)连接。4.根据权利要求3所述的一种三维堆叠芯片封装基板的散热结构,其特征在于,所述BGA焊球(8)呈矩形阵列的分布在所述封装基板(7)和所述印制板(9)之间。5.根据权利要求1所述的一种三维堆叠芯片封装基板的散热结构,其特征在于,所述接地散热焊带(11)矩形阵列分布在所述封装基板(7)上,接地散热焊带(11)与封装基板(7)的外轮廓边平行。6.根据权利要求5所述的一种三维堆叠芯片封装基板的散热结构,其特征在于,所述封装基板(7)上设置有埋铜通孔(13),所述接地散热焊带(11)通过所述埋铜通孔(13)焊接连接于BGA焊球(8),所述BGA焊球(8)焊接连接到印制板(9)上。7.根据权利要求1所述的一种三维堆叠芯片封装基板的散热结构,其特征在于,所述接地散热片(12)的上端具有平整接地焊线带(15),所述平整接地焊线带(15)直接键合连接于所述引线键合信号线(5)和第一引线键合地线(6),或平整接地焊线带(15)通过所述第二引线键合地线(14)键合连接于引线键合信号线(5)和第一引线键合地线(6)。8.根据权利要求7所述的一种三维堆叠芯片封装基板的散热结构,其特征在于,所述平整接地焊线带(15)与所述封装基板(7)或印制板(9)平行。9.一种三维堆叠芯片封装基板的散热结构的制作方法,应用于权利要求1‑8所述的一种三维堆叠芯片封装基板的散热结构,其特征在于,包括如下步骤:步骤1):在靠近封装基板(7)的外轮廓边处阵列开设埋铜通孔(13),对埋铜通孔(13)的下端进行焊接BGA焊球(8),将BGA焊球(8)的下端和印制板(9)进行焊接连接;步骤2):将接地散热带(11)的以键合的方式与接地散热片(12)进行连接;2CN115939062A权利要求书2/2页步骤