组合物、层叠体和层叠体的制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115956098A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202180050465.6(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限(22)申请日2021.09.08公司11243专利代理师陈彦李宏轩(30)优先权数据2020-1523292020.09.10JP(51)Int.Cl.C08G73/10(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C09J179/08(2006.01)2023.02.16H01L25/065(2023.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2021/0330322021.09.08(87)PCT国际申请的公布数据WO2022/054839JA2022.03.17(71)申请人三井化学株式会社地址日本东京都(72)发明人中村雄三茅场靖刚镰田润权利要求书1页说明书21页(54)发明名称组合物、层叠体和层叠体的制造方法(57)摘要本发明提供一种组合物，其包含化合物(A)、化合物(B)和化合物(C)，化合物(A)具有包含选自伯氮原子和仲氮原子中的至少1个的阳离子性官能团以及Si‑O键，化合物(B)具有3个以上的‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳原子数1以上6以下的烷基)，所述‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，化合物(C)具有环结构以及与所述环结构直接结合的1个以上的伯氮原子，在化合物(A)所含的伯氮原子和仲氮原子与化合物(C)所含的伯氮原子的合计中，化合物(A)所含的伯氮原子和仲氮原子所占的比例为3摩尔％～95摩尔％。CN115956098ACN115956098A权利要求书1/1页1.一种组合物，其包含化合物(A)、化合物(B)和化合物(C)，所述化合物(A)具有包含选自伯氮原子和仲氮原子中的至少1个的阳离子性官能团以及Si‑O键，所述化合物(B)具有3个以上的‑C(＝O)OX基，其中，X为氢原子或碳原子数1以上6以下的烷基，3个以上的‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述化合物(C)具有环结构以及与所述环结构直接结合的1个以上的伯氮原子，在化合物(A)所含的伯氮原子和仲氮原子与化合物(C)所含的伯氮原子的合计中，化合物(A)所含的伯氮原子和仲氮原子所占的比例为3摩尔％～95摩尔％。2.根据权利要求1所述的组合物，化合物(C)具有2个以上与环结构直接结合的伯氮原子。3.根据权利要求1或2所述的组合物，化合物(C)的重均分子量为80以上600以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的组合物，化合物(A)具有2个与构成所述Si‑O键的氧原子结合的烷基。5.根据权利要求1～4中任一项所述的组合物，化合物(B)的重均分子量为200以上600以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的组合物，其进一步包含极性溶剂。7.根据权利要求1～6中任一项所述的组合物，其用于制造半导体装置。8.根据权利要求1～7中任一项所述的组合物，其用于在基板上或基板间形成层。9.一种层叠体，其包含层和基板，所述层包含化合物(A)、化合物(B)和化合物(C)的反应生成物，所述化合物(A)具有包含选自伯氮原子和仲氮原子中的至少1个的阳离子性官能团以及Si‑O键，所述化合物(B)具有3个以上的‑C(＝O)OX基，其中，X为氢原子或碳原子数1以上6以下的烷基，3个以上的‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述化合物(C)具有环结构以及与所述环结构直接结合的1个以上的伯氮原子，在反应前的化合物(A)所含的伯氮原子和仲氮原子与化合物(C)所含的伯氮原子的合计中，化合物(A)所含的伯氮原子和仲氮原子所占的比例为3摩尔％～95摩尔％。10.根据权利要求9所述的层叠体，所述基板包含第一基板和第二基板，第一基板、包含所述反应生成物的层以及第二基板依次配置。11.一种层叠体的制造方法，其具备：在基板上或基板间形成层的工序；以及使所述层固化的工序，所述层包含化合物(A)、化合物(B)和化合物(C)，所述化合物(A)具有包含选自伯氮原子和仲氮原子中的至少1个的阳离子性官能团以及Si‑O键，所述化合物(B)具有3个以上的‑C(＝O)OX基，其中，X为氢原子或碳原子数1以上6以下的烷基，3个以上的‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，，所述化合物(C)具有环结构以及与所述环结构直接结合的1个以上的伯氮原子，在化合物(A)所含的伯氮原子和仲氮原子与化合物(C)所含的伯氮原子的合计中，化合物(A)所含的伯氮原子和仲氮原子所占的比例为3摩尔％～95摩尔％。2CN115956098A说明书1/21页组合物、层叠体和层叠体的制造方法技术领域[0001]本发明涉及组合物、层叠体和层叠体