一种表面加工工艺和半导体器件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115947299A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202211655607.4(22)申请日2022.12.21(71)申请人上海芯物科技有限公司地址201800上海市嘉定区皇庆路333号3幢北楼3层(72)发明人潘代强吉利张云王焕橙姜喆杨磊杨婉君杨京南(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332专利代理师初春(51)Int.Cl.B81C1/00(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图5页(54)发明名称一种表面加工工艺和半导体器件(57)摘要本发明公开了一种表面加工工艺和半导体器件，表面加工工艺包括：提供第一基板和第二基板；在第一基板的一侧沉积第一氧化层；在第二基板的一侧沉积第一加工材料；图形化第一加工材料，形成多个第一结构；在第一结构的间隙填充第一介质材料；对第一基板的第一氧化层和/或第二基板的第一介质材料进行表面活化处理；将第一基板的第一氧化层与第二基板的第一介质材料键合；剥离第二基板，得到表面加工有第一结构的第一基板。第一个独权。第一个独权的有益效果。采用上述技术方案，可进行低温键合，避免对温度敏感的电路和微结构的破坏，对器件损伤小；可使得所有衬底或器件表面均可以进行表面微观结构的加工，降低了器件表面加工的难度。CN115947299ACN115947299A权利要求书1/1页1.一种表面加工工艺，其特征在于，包括：提供第一基板和第二基板；在所述第一基板的一侧沉积第一氧化层；在所述第二基板的一侧沉积第一加工材料；图形化所述第一加工材料，形成多个第一结构；在所述第一结构的间隙填充第一介质材料；对所述第一基板的所述第一氧化层和/或所述第二基板的所述第一介质材料进行表面活化处理；将所述第一基板的所述第一氧化层与所述第二基板的所述第一介质材料键合；剥离所述第二基板，得到表面加工有所述第一结构的所述第一基板。2.根据权利要求1所述的表面加工工艺，其特征在于，还包括：提供至少一个第三基板；在所述第三基板的一侧沉积第二加工材料；图形化所述第二加工材料，形成多个第二结构；在所述第二结构的间隙填充第二介质材料；在剥离所述第二基板，得到表面加工有所述第一结构的所述第一基板之后，还包括：对表面加工有所述第一结构的所述第一基板的所述第一介质材料和/或所述第三基板的所述第二介质材料进行表面活化处理；将表面加工有所述第一结构的所述第一基板的所述第一介质材料与所述第三基板的所述第二介质材料键合；剥离所述第三基板，得到表面加工有所述第一结构和所述第二结构的所述第一基板。3.根据权利要求1所述的表面加工工艺，其特征在于，对所述第一基板的所述第一氧化层和/或所述第二基板的所述第一介质材料进行表面活化处理，包括：采用等离子体轰击所述第一基板的所述第一氧化层和所述第二基板的所述介质材料；湿法清洗所述第一基板的所述第一氧化层和/或所述第二基板的所述介质材料。4.根据权利要求1所述的表面加工工艺，其特征在于，在将所述第一基板的所述第一氧化层与所述第二基板的所述第一介质材料键合之前，包括：对所述第二基板进行去倒角处理。5.根据权利要求1所述的表面加工工艺，其特征在于，剥离所述第二基板，包括：采用机械研磨和/或化学腐蚀的方法，剥离所述第二基板。6.根据权利要求1所述的表面加工工艺，其特征在于，所述第一基板包括玻璃基板；所述第一结构包括纳米柱。7.根据权利要求1所述的表面加工工艺，其特征在于，所述第二基板包括半导体材料。8.根据权利要求1所述的表面加工工艺，其特征在于，所述第一基板包括本征半导体材料、化合物半导体材料、铁电聚合物材料或陶瓷材料。9.一种半导体器件，其特征在于，采用权利要求1‑8任一项所述的表面加工工艺制成。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：微机电系统、光透镜、光电器件或传感器。2CN115947299A说明书1/6页一种表面加工工艺和半导体器件技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种表面加工工艺和半导体器件。背景技术[0002]器件制作材料较广泛常见的有化合物、半导体硅、锗、铁电聚合物、玻璃、陶瓷等，当需要在化合物半导体硅、锗、铁电聚合物、玻璃、陶瓷等材料表面进行加工时，这些材料特性不同，部分材料不适合直接进行表面加工，例如玻璃、陶瓷等材料表面直接在其进行加工的实施难度较大。发明内容[0003]本发明提供了一种表面加工工艺和半导体器件，以解决在部分器件制作材料表面进行加工的实施难度较大的问题。[0004]根据本发明的一方面，提供了一种表面加工工艺，包括：[0005]提供第一基板和第二基板；[0006]在所述第一基板的一侧沉积第一氧化层；[0007]在所述第二基板的一侧沉积第一加工材料；[0008]