一种热沉结构、制备方法及焊接方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115954760A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202310072342.3(22)申请日2023.01.31(71)申请人度亘激光技术（苏州）有限公司地址215000江苏省苏州市自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号东北区32幢申请人度亘光电科技（南通）有限公司(72)发明人唐奇狄九文雷谢福张艳春赵卫东杨国文(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463专利代理师方晓燕(51)Int.Cl.H01S5/024(2006.01)权利要求书3页说明书11页附图3页(54)发明名称一种热沉结构、制备方法及焊接方法(57)摘要本申请涉及一种热沉结构、制备方法及焊接方法。该热沉结构包括第一铜基体和第二铜基体。第一铜基体的第一表面具有至少一个第一加工槽，第二铜基体的第一表面具有至少一个第一对位部。第一铜基体和第二铜基体对位焊接之后，形成至少一个第一加工通道。该第一加工通道为密封负压状态，并且内部填充有第一液体。当半导体激光器芯片温度升高时，第一液体汽化吸热升温，可以快速、高效的将半导体激光器产生的热量传递至散热器。CN115954760ACN115954760A权利要求书1/3页1.一种热沉结构，其特征在于，包括：第一铜基体，对所述第一铜基体进行表面处理，以在所述第一铜基体的第一表面形成至少一个第一加工槽；第二铜基体，在所述第二铜基体的第一表面形成至少一个第一对位部；其中，所述第一铜基体的第一表面和所述第二铜基体的第一表面通过焊料焊接，并且所述第一加工槽和所述第一对位部对位形成第一加工通道；所述第一加工通道为密封的加工通道，并且所述第一加工通道内部为负压状态，并填充有第一液体；所述第一铜基体还包括：多个第二加工槽，间隔设置于所述第一铜基体的第一表面，所述第二加工槽与所述第一加工槽间隔设置；所述第二加工槽的宽度与深度的比例为1:20‑1:100。2.根据权利要求1所述的热沉结构，其特征在于，所述第一加工通道分别延伸至所述第一铜基体和所述第二铜基体的外边缘；所述热沉结构还包括密封栓和完全密封介质；所述密封栓用于对延伸至所述第一铜基体和所述第二铜基体的外边缘的所述第一加工通道进行第一次密封；所述完全密封介质用于对延伸至所述第一铜基体和所述第二铜基体的外边缘的所述第一加工通道进行第二次密封，以保证所述第一加工通道内部为密封状态。3.根据权利要求2所述的热沉结构，其特征在于，至少一个所述第一加工槽的内表面具有抗腐蚀膜；和/或，至少一个所述第一对位部的内表面具有抗腐蚀膜。4.根据权利要求2所述的热沉结构，其特征在于，所述第一加工槽的宽度与深度的比例为1:20，所述第一加工槽的宽度在0.001mm‑0.01mm的范围内。5.根据权利要求1所述的热沉结构，其特征在于，所述第二加工槽的宽度与深度的比例为1:100。6.根据权利要求5所述的热沉结构，其特征在于，所述第二铜基体还包括：多个第二对位部，间隔设置于所述第二铜基体的第一表面，所述第二对位部与所述第一对位部间隔设置；所述第二对位部用于实现所述第一铜基体和所述第二铜基体的对位焊接。7.根据权利要求6所述的热沉结构，其特征在于，与所述第一铜基体的第一表面平行且背向设置的表面为所述第一铜基体的第二表面，所述第一铜基体的第二表面与半导体激光器接触；与所述第二铜基体的第一表面平行且背向设置的表面为所述第二铜基体的第二表面，所述第二铜基体的第二表面与散热器接触；所述第一铜基体的第二表面设置有台面或者导流槽，用于防止焊接过程中的焊料流淌至半导体激光器，而影响半导体激光器的性能。8.一种热沉结构的制备方法，其特征在于，包括：S10，提供第一铜基体和第二铜基体；S20，对所述第一铜基体进行表面处理，以在所述第一铜基体的第一表面形成至少一个第一加工槽；2CN115954760A权利要求书2/3页S30，根据所述第一加工槽的尺寸及位置关系，在所述第二铜基体的第一表面形成至少一个第一对位部；S40，去除所述第一铜基体和所述第二铜基体表面的氧化物；S50，将至少一个所述第一加工槽与至少一个所述第一对位部对位焊接，以形成具有第一加工通道的热沉结构；S60，向所述第一加工通道内部填充第一液体后，将所述第一加工通道设置为负压密封状态；所述S20之后还包括：S21，在所述第一铜基体的第一表面内没有设置所述第一加工槽之外的区域，制备多个第二加工槽，多个所述第二加工槽间隔设置于所述第一铜基体的第一表面；所述第二加工槽的宽度与深度的比例为1:20‑1:100；所述S30之后还包括：S31，根据多个所述第二加工槽的尺寸及位置关系，在所述第二铜基体的第一表面形成多个第二对位部；所述S50中，将至少一个所述第一加工槽与至