缺陷检测方法及其装置、电子设备及存储介质.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115954040A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202310238738.0(22)申请日2023.03.14(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人李振王伟洲(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270专利代理师任晓王黎延(51)Int.Cl.G11C29/12(2006.01)权利要求书2页说明书15页附图6页(54)发明名称缺陷检测方法及其装置、电子设备及存储介质(57)摘要本公开涉及半导体技术领域，由于半导体结构良品率的检测过程复杂，且检测效率低，因此，本公开提供一种缺陷检测方法及其装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括：向待检测的存储阵列中写入目标数据；在预设条件下，对写入目标数据的存储阵列进行测试处理，以确定出存储阵列中具有缺陷的存储单元；预设条件至少包括：控制存储阵列中的字线电压大于第一电压或者小于第二电压；第一电压为与字线连接的晶体管的开启电压，第二电压为晶体管的关闭电压。这样，通过控制字线电压大于晶体管的开启电压或者小于关闭电压，能够增加电容与晶体管栅极之间的电压差，加速漏电，进而可以快速检测出具有缺陷的存储单元，检测方法简单，且效率较高。CN115954040ACN115954040A权利要求书1/2页1.一种缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：向待检测的存储阵列中写入目标数据；在预设条件下，对写入所述目标数据的存储阵列进行测试处理，以确定出所述存储阵列中具有所述缺陷的存储单元；所述预设条件至少包括：控制所述存储阵列中的字线电压大于第一电压或者小于第二电压；所述第一电压为与所述字线连接的晶体管的开启电压，所述第二电压为所述晶体管的关闭电压。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标数据包括第一目标数据或第二目标数据；其中，所述第一目标数据为低电平，所述第二目标数据为高电平。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在预设条件下，对写入所述目标数据的存储阵列进行测试处理，以确定出所述存储阵列中具有所述缺陷的存储单元，包括：在所述预设条件下，对写入所述第一目标数据或所述第二目标数据的所述存储阵列进行读取操作，得到对应于每一所述存储单元的第一测试数据或者第二测试数据；判断所述第一测试数据与所述第一目标数据的一致性，并将所述第一测试数据与所述第一目标数据不一致的存储单元确定为具有所述缺陷的存储单元；或者，判断所述第二测试数据与所述第二目标数据的一致性，并将所述第二测试数据与所述第二目标数据不一致的存储单元确定为具有所述缺陷的存储单元。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述测试数据包括第一测试数据；在所述预设条件下，对写入所述第一目标数据的存储阵列进行读取操作，得到对应于每一所述存储单元的第一测试数据，包括：在字线开启之后，控制所述字线电压大于所述第一电压，并在第一预设时长内，执行电荷共享操作；在电荷共享操作结束后，通过感测放大器感测并放大与每一所述存储单元连接的位线上的电压，以读出与每一所述存储单元对应的所述第一测试数据；其中，所述第一预设时长大于或者等于标准感应延迟时间。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述存储单元还包括电容，所述电容的上极板与所述晶体管连接，所述方法还包括：在控制所述字线电压大于所述第一电压的同时，控制所述电容的下极板电压增大。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述预设条件下，对写入所述第二目标数据的存储阵列进行读取操作，得到对应于每一所述存储单元的第二测试数据，包括：在字线关闭后，控制所述字线电压小于所述第二电压，并持续第二预设时长；在持续所述第二预设时长后，开启所述字线，并在标准感应延迟时间内，执行电荷共享操作；在电荷共享操作结束后，通过感测放大器感测并放大与每一所述存储单元连接的位线上的电压，以读出与每一所述存储单元对应的所述第二测试数据。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在持续所述第二预设时长之后，且在开启所述字线之前，所述方法还包括：控制所述字线电压恢复至所述第二电压。8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述存储单元还包括电容，所述电容的上极板与所述晶体管连接，所述方法还包括：2CN115954040A权利要求书2/2页在控制所述字线电压小于所述第二电压，并持续第二预设时长的同时，控制所述电容下极板电压增大。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在持续所述第二预设时长之后，且在开启所述字线之前，所述方法还包括：控制所述字线电压等于所述第二电压，且控制所述电容的下极板电压恢复至增大之前的电压。10.一种缺陷检测装置，其特征在于，包括：写入模块，配置为向