一种半导体激光器裸芯片的功率波长测试装置及测试方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115962857A(43)申请公布日2023.04.14(21)申请号202211651385.9(22)申请日2022.12.21(71)申请人无锡亮源激光技术有限公司地址214192江苏省无锡市锡山经济开发区芙蓉中三路99号（亮源激光）(72)发明人蔡震于飞冯小明徐杰刘仲韬杨帆王文韬(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332专利代理师陈宏(51)Int.Cl.G01J9/00(2006.01)H01S5/00(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种半导体激光器裸芯片的功率波长测试装置及测试方法(57)摘要本发明公开一种半导体激光器裸芯片的功率波长测试装置及测试方法，包括测试装置本体，测试装置本体包括正极结构、负极结构；正极结构包括第一柔性电极片及具有一定弹力的软性支架，所述第一柔性电极片包覆于所述软性支架上以在所述软性支架的下端端头形成有压接部；测试时，压接部与裸芯片面接触；负极结构包括第二柔性电极片及用于定位固定裸芯片的热沉，第二柔性电极片安装于所述热沉上；软性支架位于热沉的上方以使得所述压接部正对第二柔性电极片，且软性支架能相对于热沉上下移动。本发明使用柔性面接触的方式，进而大大降低了芯片焊接面被破坏的风险，保证了安全可靠的测试环境，大大降低了生产测试的成本。CN115962857ACN115962857A权利要求书1/1页1.一种半导体激光器裸芯片的功率波长测试装置，包括测试装置本体，其特征在于：所述测试装置本体包括正极结构、负极结构；所述正极结构包括第一柔性电极片及具有一定弹力的软性支架，所述第一柔性电极片包覆于所述软性支架上以在所述软性支架的下端端头形成有压接部；测试时，所述压接部与裸芯片面接触；所述负极结构包括第二柔性电极片及用于定位固定所述裸芯片的热沉，所述第二柔性电极片安装于所述热沉上；所述软性支架位于所述热沉的上方以使得所述压接部正对所述第二柔性电极片，且所述软性支架能相对于所述热沉上下移动。2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器裸芯片的功率波长测试装置，其特征在于：所述软性支架包括橡胶支架本体及橡胶棒，所述橡胶棒连接于所述橡胶支架本体的下端端头，所述第一柔性电极片包覆于所述软性支架上以在所述橡胶棒处形成有圆弧形的压接部。3.根据权利要求2所述的一种半导体激光器裸芯片的功率波长测试装置，其特征在于：所述橡胶支架本体上安装有压力传感器。4.根据权利要求1所述的一种半导体激光器裸芯片的功率波长测试装置，其特征在于：所述第一柔性电极片为锡铜焊料片或锡银铜焊料片，所述第二柔性电极片为锡铜焊料片或锡银铜焊料片。5.根据权利要求1所述的一种半导体激光器裸芯片的功率波长测试装置，其特征在于：所述热沉上开有用于定位固定所述裸芯片的沉槽，所述第二柔性电极片安装于所述沉槽内。6.根据权利要求5所述的一种半导体激光器裸芯片的功率波长测试装置，其特征在于：所述热沉上位于所述沉槽的槽底开设有多个吸气孔，所述吸气孔与真空泵相连，所述第二柔性电极片上对应所述吸气孔的位置开设有通孔。7.根据权利要求6所述的一种半导体激光器裸芯片的功率波长测试装置，其特征在于：所述的多个吸气孔间隔均匀布置。8.根据权利要求1至7任一项所述的一种半导体激光器裸芯片的功率波长测试装置，其特征在于：所述软性支架由驱动装置驱动以实现上下移动，所述驱动装置为气缸或电缸。9.一种半导体激光器裸芯片功率波长的测试方法，基于权利要求1至8任一项所述的一种半导体激光器裸芯片的功率波长测试装置，其特征在于：包括如下步骤：a、将裸芯片的N面朝下，发光腔面朝外放置于热沉上并固定；b、软性支架下移以使得压接部与裸芯片的P面接触；c、软性支架继续下移以给予合适的压入压力；d、通电测试。10.根据权利要求9所述的一种半导体激光器裸芯片功率波长的测试方法，其特征在于：步骤a中采用吸气笔将裸芯片的N面朝下，发光腔面朝外放置于热沉上。2CN115962857A说明书1/4页一种半导体激光器裸芯片的功率波长测试装置及测试方法技术领域[0001]本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种半导体激光器裸芯片的功率波长测试装置及测试方法。背景技术[0002]随着应用领域对半导体激光器功率波长要求越来越高，半导体激光器裸芯片(行业统称裸芯片)的功率波长直接决定了半导体激光器的功率波长，因此，在实际生产和使用中，对半导体激光器裸芯片的功率波长测试需求越来越急切。[0003]目前，常规的半导体激光器裸芯片测试是采用探针101通电的方式，如图1所示，裸芯片的N面(负极)朝向测试热沉102放置，裸芯片的P面(正极)使用弹性的探针101向下压住，然后通电测试。此方式因通过探针101点接触施加弹性压力