电子设备、超声换能器及其半导体芯片、制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115988949A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202310149924.7(22)申请日2023.02.14(71)申请人深圳市汇顶科技股份有限公司地址518045广东省深圳市福田保税区腾飞工业大厦B座13层(72)发明人许钰旺韦亚杜灿鸿匡毫喜(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205专利代理师孙静黄健(51)Int.Cl.H10N30/87(2023.01)H10N30/045(2023.01)G06V40/13(2022.01)权利要求书3页说明书16页附图20页(54)发明名称电子设备、超声换能器及其半导体芯片、制备方法(57)摘要本申请属于指纹识别技术领域，具体涉及一种电子设备、超声换能器及其半导体芯片、制备方法。本申请旨在解决现有超声换能器的芯片电路在压电材料层极化过程中容易被击穿的问题。本申请半导体芯片的半导体衬底被构造为在超声换能器极化过程中接地连接；并在半导体衬底上形成有第一电路结构和第一电连接部，第一电连接部与半导体衬底电性连接而实现接地，第一电路结构与半导体衬底绝缘，通过设置导电连接层电性连接第一电连接部和第一电路结构，使得第一电路结构通过导电连接层和第一电连接部接地，从而使得第一电路结构在超声换能器极化过程中的累积电荷经由导电连接层和第一电连接部导出，避免第一电路结构被击穿，从而提高超声换能器产品的良率。CN115988949ACN115988949A权利要求书1/3页1.一种半导体芯片，应用于超声换能器，其特征在于，所述半导体芯片包括：芯片本体，所述芯片本体包括半导体衬底，所述半导体衬底被构造为在所述超声换能器极化过程中接地连接；所述半导体衬底上形成有第一电路结构以及第一电连接部；所述第一电连接部与所述半导体衬底电性连接，所述第一电路结构与所述半导体衬底绝缘；导电连接层，所述导电连接层电性连接于所述第一电连接部和所述第一电路结构之间，以使所述第一电路结构在所述超声换能器极化过程中的累积电荷经由所述导电连接层和所述第一电连接部导出。2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一电路结构包括第一电路，所述第一电路与所述半导体衬底绝缘；所述第一电路通过所述导电连接层与所述第一电连接部电性连接。3.根据权利要求2所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一电路结构还包括第二电连接部，所述第二电连接部与所述半导体衬底绝缘；所述第二电连接部通过所述导电连接层与所述第一电连接部电性连接。4.根据权利要求3所述的半导体芯片，其特征在于，所述第二电连接部与所述第一电路电性连接；或者，所述第二电连接部与所述第一电路相互独立。5.根据权利要求4所述的半导体芯片，其特征在于，所述芯片本体包括多个阵列排布的芯片单元，相邻所述芯片单元之间具有间隔，以形成切割道；所述第二电连接部和所述第一电路均位于所述芯片单元内，至少部分所述导电连接层位于所述切割道。6.根据权利要求5所述的半导体芯片，其特征在于，每个所述芯片单元内设置有至少一个所述第二电连接部；各所述芯片单元的所述第二电连接部均通过所述导电连接层连接于所述第一电连接部。7.根据权利要求6所述的半导体芯片，其特征在于，每个所述芯片单元内设置有多个所述第二电连接部，其中至少一个所述第二电连接部与所述第一电路电性连接，其中至少一个所述第二电连接部与所述第一电路相互独立。8.根据权利要求5‑7任一项所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一电连接部位于所述切割道。9.根据权利要求8所述的半导体芯片，其特征在于，所述切割道内设置有多个所述第一电连接部；所述第二电连接部与任一所述第一电连接部通过所述导电连接层导电连接。10.根据权利要求9所述的半导体芯片，其特征在于，所述第二电连接部与其所在的所述芯片单元相邻的所述第一电连接部通过所述导电连接层导电连接。11.根据权利要求8所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一电连接部为设置于所述切割道内的电性测试焊盘；所述第二电连接部为设置于所述芯片单元内的连接焊盘。12.根据权利要求5‑7任一项所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一电连接部和所述第二电连接部均位于所述芯片单元。13.根据权利要求12所述的半导体芯片，其特征在于，所述导电连接层连接的所述第一电连接部和所述第二电连接部位于同一所述芯片单元；或者，所述导电连接层连接的所述第一电连接部和所述第二电连接部位于不同的所述芯片单元。2CN115988949A权利要求书2/3页14.根据权利要求13所述的半导体芯片，其特征在于，在所述导电连接层连接的所述第一电连接部和所述第二电连接部位于不同的所述芯片单元时，所述第一电连接部所在的芯片单元与所述第二电连接部所在的芯片单元相邻。15.根据权利要求1