ESD保护电路及芯片.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115986707A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202211736170.7(22)申请日2022.12.31(71)申请人成都思瑞浦微电子科技有限公司地址610000四川省成都市高新区天辰路88号3栋2单元201号(72)发明人胡利志张奉江田光春黄大海(74)专利代理机构苏州三英知识产权代理有限公司32412专利代理师周仁青(51)Int.Cl.H02H9/04(2006.01)H01L27/02(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称ESD保护电路及芯片(57)摘要本发明公开了一种ESD保护电路及芯片，电路包括：第一MOS管、第一电阻、调控电路和控制电路。第一电阻的第一端与第一MOS管的栅极相连，第一电阻的第二端与地电压相连，调控电路与第一电阻的第一端和第二端相连，控制电路与调控电路相连。根据本发明的ESD保护电路，通过控制电路对调控电路的控制，以满足在需ESD保护时，调控电路保持关断状态，通过第一MOS管和第一电阻组成的HVGCNMOS的ESD结构对ESD能量进行泄放，达到保护内部电路的目的，在无需ESD保护时，调控电路开启，第一MOS管的栅极与地电压之间的电阻大大减小，使得芯片正常工作时，HVGCNMOS的ESD结构没有漏电。CN115986707ACN115986707A权利要求书1/1页1.一种ESD保护电路，其特征在于，包括：第一MOS管、第一电阻、调控电路和控制电路；所述第一MOS管的漏极与电源电压相连，所述第一MOS管的源极与地电压相连，所述第一电阻的第一端与第一MOS管的栅极相连，所述第一电阻的第二端与地电压相连，所述调控电路与第一电阻的第一端和第二端相连，所述控制电路与调控电路相连，所述控制电路用于控制调控电路的开启。2.如权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述调控电路包括第二MOS管，所述第二MOS管的漏极与第一电阻的第一端相连，所述第二MOS管的源极与第一电阻的第二端相连，所述第二MOS管的栅极与控制电路相连。3.如权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述控制电路包括启动控制单元和钳位单元，所述钳位单元用于输出开启电压至调控电路，所述启动控制单元用于控制开启电压的变化速度。4.如权利要求3所述的ESD保护电路，其特征在于，所述启动控制单元包括第二电阻，所述第二电阻的第一端与电源电压相连，所述第二电阻的第二端与钳位单元。5.如权利要求4所述的ESD保护电路，其特征在于，所述启动控制单元还包括第一电容，所述第一电容的第一端与第二电阻的第二端相连，所述第一电容的第二端与地电压相连。6.如权利要求3所述的ESD保护电路，其特征在于，所述钳位单元包括稳压二极管，所述稳压二级管D1的阴极与调控电路以及启动控制单元相连，所述稳压二级管的阳极与地电压相连，或者所述钳位单元包括稳压二极管和第三MOS管，所述稳压二级管的阴极与第三MOS管的栅极以及启动控制单元相连，所述稳压二级管的阳极与地电压相连，所述第三MOS管的漏极与电源电压相连，所述第三MOS管的源极与调控电路相连，或者所述钳位单元包括多个第五MOS管，所述第五MOS管的栅极和漏极相连，多个所述第五MOS管依次串联且同时一端与地电压相连、另一端与启动控制单元以及调控电路相连。7.如权利要求3所述的ESD保护电路，其特征在于，所述启动控制单元包括电流源和第一电容，所述电流源的第一端与电源电压相连，所述电流源的第二端与第一电容的第一端以及启动控制单元相连，所述第一电容的第二端与地电压相连。8.如权利要求3所述的ESD保护电路，其特征在于，所述钳位单元包括稳压二极管、第三MOS管和N个第四MOS管，N为大于零的整数，所述稳压二极管的阴极与启动控制单元相连，所述稳压二极管的阳极与地电压相连，所述第三MOS管M3的栅极与稳压二极管的阴极相连，所述第三MOS管的漏极与电源电压相连，所述第四MOS管的漏极和栅极相连，所述第四MOS管连接于第三MOS管的源极和调控电路之间。9.如权利要求8所述的ESD保护电路，其特征在于，所述钳位单元还包括第三电阻，所述第三电阻的第一端与电源电压相连，所述第三电阻的第二端与第三MOS管的漏极相连。10.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的ESD保护电路。2CN115986707A说明书1/5页ESD保护电路及芯片技术领域[0001]本发明是关于集成电路领域，特别是关于一种ESD保护电路及芯片。背景技术[0002]ESD(Electro‑Staticdischarge)电路为集成电路中不可或缺的部分。其主要负责保护芯片内部的器件不受ESD的损伤，提高芯片或系统的可靠性；[0003]在60V～200V的