一种闪存阵列及闪存芯片.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115988879A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202310104404.4(22)申请日2023.01.30(71)申请人北京知存科技有限公司地址100083北京市海淀区学院路35号世宁大厦17层1707(72)发明人王春明(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332专利代理师苏舒音(51)Int.Cl.H10B41/10(2023.01)H10B41/35(2023.01)H10B41/41(2023.01)G11C5/02(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图8页(54)发明名称一种闪存阵列及闪存芯片(57)摘要本发明公开了一种闪存阵列及闪存芯片。闪存阵列包括阵列排布的多个闪存模块；闪存模块包括一个存算单元和至少一个虚设单元；存算单元与虚设单元相间排布；虚设单元包括第一衬底、位于第一衬底内的第一漏极区域、第一源极区域和第一沟道区域、及位于第一衬底上的第一选择栅极、第一控制栅极和第一浮置栅极；其中，第一控制栅极与第一浮置栅极位于第一选择栅极的第一侧；第一漏极区域在第一衬底的正投影位于第一选择栅极在第一衬底的正投影的第二侧；虚设单元还包括第一硅化物结构，第一硅化物结构位于第一漏极区域远离第一衬底的表面，且第一硅化物结构与第一衬底不连接。本发明实施例的技术方案提高了对存算单元的编程效率和准确性。CN115988879ACN115988879A权利要求书1/2页1.一种闪存阵列，其特征在于，包括阵列排布的多个闪存模块；所述闪存模块包括一个存算单元和至少一个虚设单元；所述存算单元与所述虚设单元相间排布；所述虚设单元包括第一衬底、位于所述第一衬底内的第一漏极区域、第一源极区域和第一沟道区域、及位于所述第一衬底上的第一选择栅极、第一控制栅极和第一浮置栅极；其中，所述第一控制栅极与所述第一浮置栅极位于所述第一选择栅极的第一侧；所述第一漏极区域在所述第一衬底的正投影位于所述第一选择栅极在所述第一衬底的正投影的第二侧；所述虚设单元还包括第一硅化物结构，所述第一硅化物结构位于所述第一漏极区域远离所述第一衬底的表面，且所述第一硅化物结构与所述第一衬底不连接。2.根据权利要求1所述的闪存阵列，其特征在于，所述存算单元包括第二衬底、位于所述第二衬底内的第二漏极区域、第二源极区域和第二沟道区域、及位于所述第二衬底上的第二选择栅极、第二控制栅极和第二浮置栅极；其中，所述第二控制栅极与所述第二浮置栅极位于所述第二选择栅极的第一侧；所述第二漏极区域在所述第二衬底的正投影位于所述第二选择栅极在所述第二衬底的正投影的第二侧；所述第一漏极区域与所述第二漏极区域的尺寸相同。3.根据权利要求2所述的闪存阵列，其特征在于，还包括多条源极线；所述源极线与所述存算单元的源极一一对应连接；其中，在对目标存算单元进行编程时，目标源极线相邻的源极线用于向其对应的存算单元写入保护电压；其中，所述目标源极线为所述目标存算单元对应的源极线。4.根据权利要求1所述的闪存阵列，其特征在于，所述第一漏极区域为浅槽。5.根据权利要求4所述的闪存阵列，其特征在于，所述第一选择栅极在所述第一衬底的正投影包括：与所述第一沟道区域在所述第一衬底的正投影交叠的第一部分、及外露于所述第一沟道区域的第二部分；所述第一部分的长度大于第一预设长度；其中，所述预设长度为所述第一选择栅极的宽度的二分之一；所述第一部分的长度与所述第一选择栅极的宽度为第一方向的尺寸，所述第一方向为所述第一选择栅极的第一侧指向其第二侧的方向；所述第二部分的宽度大于工艺偏差值。6.根据权利要求1所述的闪存阵列，其特征在于，所述存算单元包括第二衬底、位于所述第二衬底内的第二漏极区域、第二源极区域和第二沟道区域、及位于所述第二衬底上的第二选择栅极、第二控制栅极和第二浮置栅极；其中，所述第二控制栅极与所述第二浮置栅极位于所述第二选择栅极的第一侧；所述第二漏极区域在所述第二衬底的正投影位于所述第二选择栅极在所述第二衬底的正投影的第二侧；所述虚设单元还包括第一间隔体，所述第一间隔体位于所述第一选择栅极的第二侧；所述第一漏极区域在第一方向的长度大于第二预设长度，且所述第二漏极区域与所述第一漏极区域在第一方向的长度差大于第三预设长度；其中，第一方向为所述第一选择栅极的第一侧指向其第二侧的方向；所述第二预设长度为所述第一间隔体在所述第一方向的长度与工艺偏差值之和，所述第三预设长度为光刻间距的二分之一。7.根据权利要求1‑6任一项所述的闪存阵列，其特征在于，2CN115988879A权利要求书2/2页在一个所述闪存模块中，所述虚设单元的第一选择栅极与所述存算单元的第二选择栅极为一体式选择栅极；相邻两个所述闪存模块之间的选择栅极不连接。8.根据权利要求