太阳能电池及其制备方法、光伏组件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116013998A(43)申请公布日2023.04.25(21)申请号202310161620.2(22)申请日2023.02.23(71)申请人晶科能源（海宁）有限公司地址314415浙江省嘉兴市海宁市黄湾镇安江路118号申请人浙江晶科能源有限公司(72)发明人查通夏志鹏王龙黄纪德刘长明(74)专利代理机构北京汇思诚业知识产权代理有限公司11444专利代理师张维(51)Int.Cl.H01L31/0216(2014.01)H01L31/0236(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书10页附图4页(54)发明名称太阳能电池及其制备方法、光伏组件(57)摘要本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，包括半导体衬底，半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；位于半导体衬底第一表面的偏光结构以及位于偏光结构背离半导体衬底一侧的第一钝化层；第一钝化层背离偏光结构的一侧表面设置有多个间隔排列的沟槽，沟槽的深度小于等于第一钝化层的厚度，沟槽的开口直径为1nm～100nm；位于半导体衬底第二表面的第二钝化层；位于第一钝化层表面的第一电极及位于第二钝化层表面的第二电极。本申请太阳能电池在第一钝化层表面进行改善，增加陷光减反射作用，提高太阳光的有效利用，提升太阳能电池的光电转换效率，避免了直接对偏光结构进行调整或修饰，不会对电池的电性能产生有害影响。CN116013998ACN116013998A权利要求书1/1页1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；位于所述半导体衬底第一表面的偏光结构以及位于所述偏光结构背离所述半导体衬底一侧的第一钝化层；所述第一钝化层背离所述偏光结构的一侧表面设置有多个间隔排列的沟槽，所述沟槽的深度小于等于所述第一钝化层的厚度，所述沟槽的开口直径为1nm～100nm；位于所述半导体衬底第二表面的第二钝化层；位于所述第一钝化层表面的第一电极及位于所述第二钝化层表面的第二电极。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述沟槽在所述半导体衬底所在平面上的正投影的总面积记为S1，所述第一钝化层在所述半导体衬底所在平面上的投影面积记为S2，其中，0.01S2≤S1＜S2。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，沿垂直于所述半导体衬底所在平面，所述沟槽的深度为10nm～100nm；和/或所述第一钝化层的厚度为10nm～100nm。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，沿垂直于所述半导体衬底所在平面，所述沟槽的深度与所述第一钝化层的厚度之比为(0.1～1):1。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，沿平行于所述半导体衬底所在平面，所述偏光结构的长度为0.5μm～10μm；和/或所述偏光结构的宽度为0.5μm～10μm。6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，沿垂直于所述半导体衬底所在平面，所述偏光结构的高度为0.5μm～10μm。7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述沟槽与所述半导体衬底所在平面相垂直。8.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；在所述半导体衬底的第一表面进行制绒处理形成偏光结构；在所述偏光结构背离所述半导体衬底的一侧形成第一钝化层；在所述第一钝化层的表面进行刻蚀处理形成多个间隔排列的沟槽，所述沟槽的深度小于等于所述第一钝化层的厚度，且所述沟槽的开口直径为1nm～100nm；在所述半导体衬底的第二表面形成第二钝化层；在所述第一钝化层的表面形成第一电极及在所述第二钝化层的表面形成第二电极，得到太阳能电池。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述第一钝化层的表面进行刻蚀处理形成多个间隔排列的沟槽包括：在所述第一钝化层的表面进行氧等离子刻蚀形成多个间隔排列的沟槽前驱体，所述沟槽前驱体的开口直径为1nm～10nm，所述沟槽前驱体的深度为1nm～30nm；对所述沟槽前驱体进行臭氧刻蚀，使得所述沟槽前驱体转变为沟槽，所述沟槽的开口直径为1nm～100nm，所述沟槽的深度为10nm～100nm。10.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括盖板、封装材料层和太阳能电池串，所述太阳能电池串包括根据权利要求1～7任一项所述的太阳能电池或根据权利要求8～9任一项所述的制备方法制得的太阳能电池。2CN116013998A说明书1/10页太阳能电池及其制备方法、光伏组件技术领域[0001]本申请涉及光伏电池技术领域，具体地讲，涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。背景技术[0002]随着太阳能电池技术的不断发展，电