一种用于制备tic晶须的生产装置.pdf
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一种用于制备tic晶须的生产装置.pdf
本发明公开了一种用于制备tic晶须的生产装置,属于干燥装置技术领域,干燥罐的一端设置有上盖,干燥罐的内壁固定连接有加热板和限位块,限位块的一表面通过螺杆固定连接有支撑杆,支撑杆的一端固定连接有集水盒,集水盒的底部中心位置固定套接有密封轴承,密封轴承的中心位置固定套接有轴杆,轴杆的另一端面通过螺丝固定连接有旋转耙,该用于制备tic晶须的生产装置设置的便于装拆的喇叭形滤网具有振动的功能,不仅提高了固液分离效率,而且可以加快晶须的下料速度,并且设置的集水盒具有自动收集液体的功能,可以将液体快速的导出干燥罐,避免
一种SiC晶须的制备方法.pdf
本发明涉及SiC晶须领域,特别是涉及一种SiC晶须的制备方法,其特征在于,以埃肯硅微粉为硅源、石墨为碳源、Na3AlF6为催化剂,在石墨坩埚内,按摩尔比C/Si=(7.5~8):1,Si/Al=(4~6):1的比例加入SiO2微粉和Na3AlF6,石墨坩埚的内壁即是SiC晶须生长的基底,在热压炉中,充入氩气作为SiC晶须生长的保护气体。放入真空碳管炉内,充入氩气,在1300℃~1500℃之间保温1~3小时。与现有技术相比,本发明的有益效果是:原料来源广、成本低,不存在环境污染,制备出的晶须长径比达60~2
一种SiC晶须的制备方法.pdf
本发明公开了一种SiC晶须的制备方法,属于SiC制备技术领域,该方法取聚硅氧烷置于容器中;向盛有聚硅氧烷的容器中滴入适量氯铂酸酒精溶液;用磁力搅拌器搅拌;将混合后的溶液放在鼓风干燥箱中180℃交联;将交联后的聚硅氧烷制成粉体;分别筛分出粒径为280um‑450um,154um‑180um,150um‑154um的不同粉末;用所制得的不同粒径交联粉末包埋不同的石墨基体,用管式气氛炉进行1500℃高温烧结。该方法以不同厚度石墨基体为生长平台,通过改变基体形态和粉体粒度,控制包埋深度,制备不同形态晶须。本发明的
改进的碳热还原法制备TiC晶须及其应用的研究任务书.docx
改进的碳热还原法制备TiC晶须及其应用的研究任务书一、课题选题背景TiC晶须是一种耐磨、高温、高强度的新材料,具有优异的力学和热学性能,在航空、航天、化工、医疗器械等领域具有广泛的应用前景。其中,碳热还原法制备TiC晶须具有成本低、操作简单等优点,是目前最为流行的制备方法之一。然而,传统的碳热还原法存在反应温度、碳源配比等不稳定因素,难以制备高质量的TiC晶须,影响了产品的应用效果和市场竞争力。因此,对于碳热还原法制备TiC晶须的研究和改进,具有重要的理论意义和实践价值。二、研究内容及目标1.碳热还原法制
一种用于晶振生产的烘干装置.pdf
本发明公开了一种用于晶振生产的烘干装置,包括壳体,所述壳体为中空结构,且壳体中设有加热室和烘干室,所述加热室位于烘干室的上方,且加热室中设有加热装置,所述壳体的侧壁还设有与加热室连通的进气口,且壳体的侧壁还设有与烘干室连通的进料口,且进料口处转动连接有盖板,所述烘干室中转动连接有辊轴,且辊轴为中空结构,所述烘干室的上侧壁通过支架连接有驱动电机和套筒,且驱动电机位于套筒的上方,所述套筒的上侧壁设有与驱动电机输出轴匹配的第一转槽。本发明结构简单,操作方便,在晶振进行去离子水清洗之后,可以快速的对晶振进行烘干操