外延成长装置、外延晶片的制造方法以及外延成长装置用顶升销.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107924821A(43)申请公布日2018.04.17(21)申请号201680031564.9(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司720(22)申请日2016.04.2501代理人李婷刘林华(30)优先权数据2015-1099372015.05.29JP(51)Int.Cl.H01L21/205(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C23C16/24(2006.01)2017.11.29C23C16/44(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据C30B25/12(2006.01)PCT/JP2016/0021742016.04.25C30B29/06(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据WO2016/194291JA2016.12.08(71)申请人胜高股份有限公司地址日本东京都(72)发明人樱井雅哉权利要求书1页说明书7页附图3页(54)发明名称下，并且顶升销(15)的穿过支承臂(17b)的贯穿外延成长装置、外延晶片的制造方法以及外孔(17h)内的直体部下部区域(15c)的表面粗糙延成长装置用顶升销度是1μm以上且10μm以下。(57)摘要本发明提供一种外延成长装置、外延晶片的制造方法以及外延成长装置用顶升销，外延成长装置能够减少对外延硅晶片的背面产生瑕疵，并且能够减少尘粒附着于晶片的表面。在所述外延成长装置中，在腔室的内部具备：载置硅晶片(W)的基座(4)；从下方支承该基座(4)，并且具有与基座(4)的中心位于同轴上的主柱和从该主柱呈放射状延伸的支承臂(17b)的支承轴；以及插通于设置在基座(4)的贯穿孔(4h)以及设置在支承臂(17b)的贯穿孔(17h)双方，并在铅垂方向上移动自如地配设的顶升销(15)，外延成长装置使该顶升销(15)升降来使硅晶片(W)载置于基座(4)上或与基座(4)分离，所述外延成长装置的特征在于，顶升销(15)的至少其表层区域由硬度低于基座(4)的硬度的材料构成，顶升销(15)的穿过基座(4)的贯穿孔(4h)内的直体部上部区域CN107924821A(15d)的表面粗糙度是0.1μm以上且0.3μm以CN107924821A权利要求书1/1页1.一种外延成长装置，其在腔室的内部具备：基座，其载置硅晶片；支承轴，其从下方支承该基座，并且具有与所述基座的中心位于同轴上的主柱和从该主柱呈放射状延伸的支承臂；以及顶升销，其插通于设置在所述基座的贯穿孔以及设置在所述支承臂的贯穿孔双方，并在铅垂方向上移动自如地配设，所述外延成长装置使该顶升销升降来使所述硅晶片载置于所述基座上或与所述基座分离，所述外延成长装置的特征在于，所述顶升销的至少其表层区域由硬度低于所述基座的硬度的材料构成，所述顶升销的穿过所述基座的贯穿孔内的直体部上部区域的表面粗糙度是0.1μm以上且0.3μm以下，并且，所述顶升销的穿过所述支承臂的贯穿孔内的直体部下部区域的表面粗糙度是1μm以上且10μm以下。2.根据权利要求1所述的外延成长装置，其中，所述顶升销的至少其表层区域包含玻璃状碳，所述基座的至少其表层区域包含碳化硅SiC，所述支承臂包含石英。3.根据权利要求1或2所述的外延成长装置，其中，所述顶升销的下端部被实施了圆角加工。4.一种外延晶片的制造方法，其特征在于，利用权利要求1至3所述的外延成长装置，在硅晶片上进行外延膜的成长。5.一种外延成长装置用顶升销，其插通于设置在基座的贯穿孔以及设置在支承臂的贯穿孔双方，在将所述硅晶片搬入所述外延成长装置内时或从所述外延成长装置取出时，支承所述硅晶片的背面而升降，所述基座设置于在硅晶片上进行外延层的气相成长的外延成长装置内，所述支承臂支承所述基座的下部，所述外延成长装置用顶升销的特征在于，至少表层区域由硬度低于所述基座的硬度的材料构成，并且所述顶升销的穿过所述支承臂的贯穿孔内的直体部下部区域的表面粗糙度大于所述顶升销的穿过所述基座的贯穿孔内的直体部上部区域的表面粗糙度。6.根据权利要求5所述的外延成长装置用顶升销，其中，所述直体部上部区域的表面粗糙度是0.1μm以上且0.3μm以下，并且所述直体部下部区域的表面粗糙度是1μm以上且10μm以下。7.根据权利要求5或6所述的外延成长装置用顶升销，其中，至少表层区域包含玻璃状碳。8.根据权利要求5至7中任一项所述的外延成长装置用顶升销，其中，所述顶升销的下端部被实施了圆角加工。2CN107924821A说明书1/7页外延成长装置、外延晶片的制造方法以及外延成长装置用顶升销技术领域[0001]本发明涉及一种外延成长装置、外延晶片的制造方法以及外延成长装置用顶升销，尤其涉及一种能够减少对外延硅晶片的背面产生瑕疵并且能够减少尘