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本文由wujinfeng05奉献pdf文档也许在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文献到本机查看。主田宦S翻BCITE ̄6.r7高鹏刘继伟高文秀O引言丝网E ̄/DU快速烧结工艺是当今工业化大规模生产晶体畦太阳电池普遍应用的成熟的金属化技术。燃烧有机物阶段的烧结温度一般设立在30c0q左右。假如温度设立过高,则浆料中的有机物挥发速度过快,会导致金属颗粒之间疏松孔隙过多过大,使烧结后金属层内部以及金属一半导体接触之间的电快速烧结工艺是将EB在电池片的正面电极,DU背面电极以及背面场集中在一起通过快速烧结炉烧阻过大;假如温度设立过低,会导致有机物燃烧不完全,也会带来同样的问题。升温过程需要考虑的重要是对铝背面场和背面电极的烧结要有足够的温度和足够的时间。图2所示为结完毕其表面电接触。其工艺的基本设备为温度精确控制的快速烧结炉(温度上升速度>0/)2 ̄s,快C速烧结理论在许多文献中有较详尽的描述。但是,工艺简朴。生产成本低、便于大规模生产的丝网印III烧结工艺。所形成的金属一U半导体接触电阻值却是光刻镀膜形成电极接触电阻的两个数量级。本文通过调节烧结工艺实验,使铝背面场、背面电极和正面电极厚膜欧姆接触的导电特性得以优化。1烧结工艺过程图1是标准烧结工艺曲线图。图中知道,从快速烧结工艺一般包含四个阶段即:.1燃烧有机物阶段;2升温阶段;.值温度区间;..3峰4降温阶段。不同方式的升温过程o一2A为迅速升温烧结工艺曲线图;_黑色实线为缓慢升温工艺曲线图。2B峰值温度区间要注意的就是峰值温度的设定。峰值温度决定了烧结过程中银铝合金、硅铝合金当中金属原子的浓度.峰值温匿对正面银电极和铝背场以及背面电极的烧结和电池片串联电阻和填充因子的影响都非常大。假如峰值温度设立过高,则会使正面电极烧穿,使串联电阻和填充因子下降,效率显著降低。降温阶段规定匀速连续,不能有较大幅度的温度梯度变化,但也有在特殊的峰值温度后加上一个退火过程(如图2A此种烧结工艺据介绍对峰值温-)度设定过高而导致的过烧结具有很好的改善作用。p2实验过程2I实验材料的准备.21选择材料。实验材料选择电阻率在O ̄f?.I..3l5a尺寸为15m15m,度为203um,2mx2m厚7+0m的太阳能级直拉单晶硅片。时司(】s21制绒。.2_采用标准碱腐蚀单晶绒面工艺,出绒率在9%以上。5图l标准烧结工艺温度随时间的变化曲线21扩散。.3.选择单面扩散工艺,扩散后方块电阻为4 ̄f;55l少数载流子寿命在91 ̄之间。 ̄3s21镀减反射涂层。采用等离子体增强化学气相..4沉积氮化硅层工艺形成表面减反射涂层,其厚度在8r左右。0mi厂、、_,嘲21印刷电极。..5采用标准丝网印刷铝背面场,面背银铝电极和正面印刷银电极工业化生产流程。其中正面电极为45条15m宽栅线,7u2条1mm宽的.8主线;面场电阻率为461-le背~x0T?m。f21烧结。实验选用的是FRO342银浆;..6ER36FR38银铝浆;ERN5—0ERO39FROC312铝浆;采用九温区快速烧结炉。根据浆料厂商推荐的烧结工艺条件以及本次实验的工艺特点,我们以图2B作为基础调节烧结工一艺。把实验片提成6组烧结,每组20片。22试验设计.在烧结温度调节过程中,通常是根据相关资料设定各温区的初始值。然后在其他温区温度不变的情况下,解某一温区温度,到其上极限值和下极调找限值。在该温区温度取相对抱负数值后,调节其他再温区。样依次调节各温区温度。为复杂之处是各这较温区的交互影响,因此,调节烧结工艺需要具有较丰富的经验。图2典型的烧结工艺温度曲线。我们把准备好的6组实验片,按照下述不同的烧结温度进行烧结。2.用图2B所示曲线设立烧结工艺温度。.12一烧结炉每个温区温度设定分别为:1区30C,2区0 ̄3o,3区3o,4区30C,5区30,6区0℃0℃8 ̄9℃40C8 ̄,7区60,8区8o2℃0℃,9区90C1 ̄。图3各组实验片试效率图道程控光伏电池片伏安曲线模拟测量仪进行测量(E0—)图3显示的是六组电池片烧结后效率IC941。分布图。我们知道,阳电池烧结的最主要的两个参数太分别是串联电阻和填充因子(处未对电池片的并此联电阻进行分析,这对分析实验结果会略有影响)。串联电阻可表示为:驿r+lrr()R=crb。++血b1r是正面电极金属栅线电阻,。分别是正Ⅱfr、c222以(..)为基准,把7温区温度提高..2212℃,置为60C0设4 ̄。223以(..)基准,升温阶段的起点温..222为把区(五温区)第温度提高4℃,置为40C0设3 ̄。224以(.-)基准,45温区的温度分..223为把,别升为40C,6 ̄5 ̄40C。225以(.-)..224为基准,9温区的温度升到把90。2℃面、背面金属半导体接触电阻,是正面扩散层的电rt阻