一种基板调平结构和调平装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116031196A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202111445081.2(22)申请日2021.11.30(66)本国优先权数据202111256429.32021.10.27CN(71)申请人拓荆科技股份有限公司地址110171辽宁省沈阳市浑南区水家900号(72)发明人魏有雯吴凤丽(74)专利代理机构上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)31286专利代理师黄海霞(51)Int.Cl.H01L21/687(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图4页(54)发明名称一种基板调平结构和调平装置(57)摘要本发明提供了一种基板调平结构和调平装置，本发明的基板调平结构包括固定组件、调平板和定位组件，固定组件设有第一抵接面，调平板设有第二抵接面，且第一抵接面和/或第二抵接面设置为球面，第二抵接面抵接于第一抵接面，调平板通过第二抵接面和第一抵接面转动设置于固定组件，定位组件的一端固定设置于固定组件，定位组件的另一端活动设置于调平板，定位组件用于固定调平板。本发明的基板调平结构通过第一抵接面和第二抵接面使调平板可转动的设置于固定组件，使得调平板可在球面的范围内进行调整，能够全方位进行调整，转动角度和方位受限程度小，且通过定位组件能够使调平板能够保持固定的角度。CN116031196ACN116031196A权利要求书1/1页1.一种基板调平结构，其特征在于，包括固定组件、调平板和定位组件；所述固定组件设有第一抵接面，所述调平板设有第二抵接面，且所述第一抵接面和/或所述第二抵接面设置为球面，所述第二抵接面抵接于所述第一抵接面，所述调平板通过所述第二抵接面和所述第一抵接面转动设置于所述固定组件；所述定位组件的一端固定设置于所述固定组件，所述定位组件的另一端活动设置于所述调平板，所述定位组件用于固定所述调平板。2.根据权利要求1所述的基板调平结构，其特征在于，所述固定组件包括固定板和若干滚子；所述若干滚子滑动或转动设置于所述固定板，所述若干滚子的切面形成所述第一抵接面。3.根据权利要求2所述的基板调平结构，其特征在于，所述固定板和所述调平板中至少一个设有若干滑槽，各个所述滚子对应设置于各个所述滑槽。4.根据权利要求3所述的基板调平结构，其特征在于，所述固定板设置于第一平面，各个所述滑槽所在剖面均通过所述球面的球心、且与所述第一平面垂直设置。5.根据权利要求1或2所述的基板调平结构，其特征在于，所述定位组件包括固定件和若干顶杆；所述固定件包括固定部、连接部和支撑部；所述固定部固定设置于所述固定组件，所述连接部固定设置于所述固定部，所述支撑部固定设置于所述连接部，且所述支撑部延伸至所述调平板一侧，所述支撑部设置若干导向孔；各个所述顶杆分别可调节设置于各个所述导向孔，且各个所述顶杆的一端抵接于所述调平板。6.根据权利要求5所述的基板调平结构，其特征在于，所述导向孔为螺纹孔，所述顶杆为顶丝。7.根据权利要求1或2所述的基板调平结构，其特征在于，还包括波纹管；所述波纹管的两端分别固定设置于所述固定组件和所述调平板。8.一种调平装置，其特征在于，包括喷淋组件和权利要求1至7中任意一项所述的基板调平结构；所述喷淋组件设置于所述基板调平结构，所述基板调平结构用于调整所述喷淋组件的角度，所述喷淋组件用于镀膜。9.根据权利要求8所述的调平装置，其特征在于，所述球面的球心位于所述喷淋组件远离所述固定组件的侧面。10.根据权利要求8或9所述的调平装置，其特征在于，所述喷淋组件可拆卸设置于所述基板调平结构。2CN116031196A说明书1/7页一种基板调平结构和调平装置技术领域[0001]本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种基板调平结构和调平装置。背景技术[0002]半导体衬底处理装置被用于通过技术来处理半导体，所述技术包括：物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)、等离子体增强原子层沉积(PEALD)、脉冲沉积层(PDL)、分子层沉积(MLD)、等离子体增强脉冲沉积层(PEPDL)处理、蚀刻和抗蚀剂去除等。进过技术处理后的产品通常被发现沉积或蚀刻不均匀性。目前，通常通过旋转基座或均衡加热器来改善不均匀性，但并不能有效解决该问题。[0003]公告号为CN110997976A的中国专利申请公开了一种喷头倾斜机构，通过差动螺栓提供粗调和微调，以调节喷头模块的面板相比于半导体衬底处理装置中面板的倾斜度和间隙。在同一间隙的情况下该方式的角度调整以空间内差动螺栓的所在位置为转动点，且该转动点偏离于喷头模块的面板的轴心，使得可以转动的角度和方位受限程度较大，不能够满足全方