发光器件以及使用该发光器件的显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109830584A(43)申请公布日2019.05.31(21)申请号201811317325.7(22)申请日2018.11.07(30)优先权数据10-2017-01576882017.11.23KR10-2017-01671672017.12.07KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人郑泰逸金一洙郭容硕(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人刘久亮(51)Int.Cl.H01L33/38(2010.01)H01L27/15(2006.01)权利要求书3页说明书22页附图17页(54)发明名称发光器件以及使用该发光器件的显示装置(57)摘要发光器件以及使用该发光器件的显示装置。该发光器件改进设置发光器件的工艺的可靠性。该发光器件被配置为即使发光器件在被设置在基板上时反转也确保电连接。该发光器件包括n型半导体层和p型半导体层。n型电极和p型电极被设置在发光器件的顶表面和底表面的两侧。接触孔被设置为将多个n型电极中的一个电连接到n型半导体层，并且将多个p型电极中的一个电连接到p型半导体层。当发光器件在被设置在基板上时反转时，该发光器件正常地操作，从而减小显示装置的缺陷率。CN109830584ACN109830584A权利要求书1/3页1.一种发光器件，该发光器件包括：n型半导体层；p型半导体层；有源层，其中，所述n型半导体层和所述p型半导体层被设置在该有源层的两侧；以及n型电极和p型电极，所述n型电极和所述p型电极被设置在所述发光器件的两侧，使得即使在所述发光器件在被设置在基板上时反转的情况下也提供电连接，其中，所述n型半导体层或所述p型半导体层直接电连接到多个所述n型电极中的设置在相同表面上的n型电极或多个所述p型电极中的设置在相同表面上的p型电极，并且所述n型半导体层或所述p型半导体层通过接触孔电连接到多个所述n型电极中的设置在不同表面上的n型电极或多个所述p型电极中的设置在不同表面上的p型电极，并且其中，直接电连接到所述n型半导体层的所述n型电极与通过所述接触孔电连接到所述n型半导体层的所述n型电极彼此分离，并且各个所述n型电极被设置在所述n型半导体层的顶表面和所述n型半导体层的底表面上的所述n型半导体层被蚀刻的区域中，并且其中，直接电连接到所述p型半导体层的所述p型电极与通过所述接触孔电连接到所述p型半导体层的所述p型电极彼此分离，并且各个所述p型电极被设置在所述p型半导体层的顶表面和所述p型半导体层的底表面上的所述p型半导体层被蚀刻的区域中。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，从所述n型电极或所述p型电极当中选择的一个电极被设置为围绕所述发光器件的一个表面的周边部分。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，从所述n型电极或所述p型电极当中选择的一个电极被设置在所述发光器件的一个表面的中心部分上。4.根据权利要求1所述的发光器件，该发光器件还包括绝缘层，该绝缘层在所述接触孔中以将设置在与所述n型半导体层不同的表面上的所述n型电极与所述p型半导体层和所述有源层绝缘，并且将设置在与所述p型半导体层不同的表面上的所述p型电极与所述n型半导体层和所述有源层绝缘。5.一种发光器件，该发光器件包括：依次设置的p型半导体层、有源层和n型半导体层；设置在所述p型半导体层上的第一n型电极和第一p型电极；以及设置在所述n型半导体层上的第二n型电极和第二p型电极，其中，所述第一n型电极与所述p型半导体层和所述有源层绝缘，所述第一n型电极通过接触孔电连接到所述n型半导体层，所述第二p型电极与所述n型半导体层和所述有源层绝缘，并且所述第二p型电极沿着所述n型半导体层的侧表面延伸以电连接到所述p型半导体层，并且其中，所述第一p型电极和所述第二p型电极彼此分离，并且所述第一p型电极和所述第二p型电极中的每一个被设置在所述p型半导体层的顶表面和所述p型半导体层的底表面上的所述p型半导体层被蚀刻的区域中。6.根据权利要求5所述的发光器件，该发光器件还包括绝缘层以将所述第一n型电极与所述p型半导体层和所述有源层绝缘并将所述第二p型电极与所述n型半导体层和所述有源层绝缘。2CN109830584A权利要求书2/3页7.根据权利要求5所述的发光器件，其中，设置在所述p型半导体层上的所述第一n型电极被设置在所述p型半导体层的中心部分上，并且设置在所述p型半导体层上的所述第一p型电极被设置为围绕所述p型半导体层的周边部分。8.根据权利要求5所述的发光器件，其中，设置在所述n型半导体层上的所述第二n型电极被设置在所述n型半导体层的中心部分上，并且设置在所述n型半导体层上的所述第二p型电极被设置为围绕所述n型半导体层的周边部分。9.一种