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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113677714A(43)申请公布日2021.11.19(21)申请号202080028143.7(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事(22)申请日2020.01.28务所(普通合伙)11277代理人刘新宇李茂家(30)优先权数据2019-0766402019.04.12JP(51)Int.Cl.C08F136/08(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C08F4/6192(2006.01)2021.10.12(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2020/0030302020.01.28(87)PCT国际申请的公布数据WO2020/208902JA2020.10.15(71)申请人株式会社普利司通地址日本东京都(72)发明人高野重永会田昭二郎权利要求书1页说明书17页附图1页(54)发明名称聚异戊二烯的制造方法(57)摘要本发明所要解决的问题为提供一种聚异戊二烯的制造方法,其使得可以有效地获得具有大量乙烯基键并且支化度低的聚异戊二烯。解决所述问题的手段为一种聚异戊二烯的制造方法,其特征在于包括在聚合催化剂组合物的存在下使异戊二烯聚合的步骤,该聚合催化剂组合物包含由通式(I)表示的半茂金属阳离子配合物(在式中:M表示镧系元素、钪或钇;CpR'表示取代的环戊二烯基、取代的茚基、或取代的芴基,其各自具有至少一个含Si的取代基;X表示氢原子、卤素原子、烷氧基、烃硫基、胺基、甲硅烷基、或C1‑20单价烃基;L表示中性路易斯碱;w表示0~3范围内的整数;以及[B]‑表示非配位性阴离子)。CN113677714ACN113677714A权利要求书1/1页1.一种聚异戊二烯的制造方法,其中其包括在聚合催化剂组合物的存在下使异戊二烯聚合的工序,所述聚合催化剂组合物包含由以下通式(I)表示的半茂金属阳离子配合物(在式(I)中,M表示镧系元素、钪或钇;CpR’表示取代的环戊二烯基、取代的茚基或取代的芴基;X表示氢原子、卤素原子、烷氧基、烃硫基、胺基、甲硅烷基或C1‑20单价烃基;L表示中性路易斯碱;w表示0~3范围内的整数;以及[B]‑表示非配位性阴离子),其中在所述通式(I)中作为CpR’的取代的环戊二烯基、取代的茚基或取代的芴基各自具有至少一个包括Si在其中的取代基。2.根据权利要求1所述的聚异戊二烯的制造方法,其中所述通式(I)中的CpR’为取代的茚基,并且所述取代的茚基具有两个以上的取代基。3.根据权利要求1或2所述的聚异戊二烯的制造方法,其中所述通式(I)中的CpR’为取代的茚基,并且所述取代的茚基的至少一个取代基存在于所述取代的茚基的五元环上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的聚异戊二烯的制造方法,其中所述聚合催化剂组合物不含卤素化合物。2CN113677714A说明书1/17页聚异戊二烯的制造方法技术领域[0001]本发明涉及聚异戊二烯的制造方法。背景技术[0002]通常以天然橡胶为代表的聚异戊二烯一直以来广泛地用于如轮胎等橡胶制品。作为天然聚异戊二烯的天然橡胶具有基本上100mol%的顺式‑1,4键含量,并且因此表现出优异的物理性能,其包括优异的耐久性。[0003]在这方面,聚异戊二烯的物理性能可以通过增加/减少其乙烯基键含量来可控地改变。已知一种乙烯基键含量高的合成聚异戊二烯(例如,下文所示的PTL1)。进一步,由KARBOCHEMLtd.制造的商品名“Isogrip”已知作为市售的乙烯基键含量高的合成聚异戊二烯。[0004]引用列表[0005]专利文献[0006]PTL1:JP01‑174547A(1989)发明内容[0007]发明要解决的问题[0008]然而,乙烯基键含量高的常规聚异戊二烯通常通过其中乙烯基键含量的控制相当困难的阴离子聚合来制造。进一步,在阴离子聚合中也难以控制所得聚异戊二烯的支化度。[0009]鉴于此,本发明的目的为提供一种聚异戊二烯的制造方法,该方法解决了上述现有技术的问题,并且使得可以有效地获得乙烯基键含量高并且支化度低的聚异戊二烯。[0010]用于解决问题的方案[0011]用于实现上述目的的本发明的主要特征如下。[0012]本发明的聚异戊二烯的制造方法包括在聚合催化剂组合物的存在下使异戊二烯聚合的工序,所述聚合催化剂组合物包含由以下通式(I)表示的半茂金属阳离子配合物[0013][0014](在式(I)中,M表示镧系元素、钪或钇;CpR’表示取代的环戊二烯基、取代的茚基或取代的芴基;X表示氢原子、卤素原子、烷氧基、烃硫基、胺基、甲硅烷基或C1‑20单价烃基;L表示中性路易斯碱;w表示0~3范围内的整数;以及[B]‑表示非配位性阴离子),[0015]其中在所述通式(I)中作为CpR’的取代的环