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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114835900A(43)申请公布日2022.08.02(21)申请号202210496894.2(22)申请日2022.05.09(71)申请人西北工业大学地址710072陕西省西安市友谊西路127号(72)发明人孔杰周睿张禧澄于震孙语瑶宋燕(74)专利代理机构北京高沃律师事务所11569专利代理师王苗苗(51)Int.Cl.C08G77/22(2006.01)C08G77/06(2006.01)C04B35/563(2006.01)C04B35/571(2006.01)C04B35/622(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称一种超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体及其制备方法、Si-B-O-C陶瓷的制备方法(57)摘要本发明提供了一种用于光固化3D打印的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体及其制备方法、Si‑B‑O‑C陶瓷的制备方法,涉及陶瓷材料技术领域。本发明提供的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体的制备方法,包括以下步骤:在保护气氛下,将1,4‑二氧六环和硼酸衍生物混合,得到硼酸衍生物溶液;将所述硼酸衍生物溶液和含丙烯酸取代的三烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷、苯基取代的二烷氧基硅烷以及含取代基的一烷氧基硅烷混合,进行聚合反应,得到超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体。采用本发明的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体制备的陶瓷的分解温度至少升高到1400℃,具有优异的高温耐氧化性能。CN114835900ACN114835900A权利要求书1/1页1.一种用于光固化3D打印的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体的制备方法,包括以下步骤:在保护气氛下,将1,4‑二氧六环和硼酸衍生物混合,得到硼酸衍生物溶液;将所述硼酸衍生物溶液和含丙烯酸取代的三烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷、苯基取代的二烷氧基硅烷以及含取代基的一烷氧基硅烷混合,进行聚合反应,得到超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述硼酸衍生物溶液的浓度为0.11~0.15g/mL。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述硼酸衍生物、含丙烯酸取代的三烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷、苯基取代的二烷氧基硅烷以及含取代基的一烷氧基硅烷的摩尔比为0.30~0.37:0.075~0.15:0.325~0.35:0.1:0.05~0.1。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述聚合反应的温度为75~120℃,聚合反应的时间为6~12h。5.权利要求1~4任一项所述制备方法制备得到的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体。6.一种Si‑B‑O‑C陶瓷的制备方法,包括以下步骤:将超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体和光引发剂混合,得到打印原料;所述超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体为权利要求5所述超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体;采用3D打印技术将所述打印原料进行打印,得到陶瓷素坯;在保护气氛下,将所述陶瓷素坯进行热解处理,得到Si‑B‑O‑C陶瓷。7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述光引发剂为(2,4,6‑三甲基苯甲酰基)二苯基氧化膦。8.根据权利要求6或7所述的制备方法,其特征在于,所述光引发剂的质量为超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体质量的1~5%。9.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述热解处理的温度为1100~1500℃,保温时间为2~3h。10.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述保护气氛为氩气气氛。2CN114835900A说明书1/6页一种超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体及其制备方法、Si‑B‑O‑C陶瓷的制备方法技术领域[0001]本发明涉及陶瓷材料技术领域,具体涉及一种用于光固化3D打印的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体及其制备方法、Si‑B‑O‑C陶瓷的制备方法。背景技术[0002]随着特种陶瓷在各种高尖端领域发挥着愈加重要的作用,高性能微纳陶瓷的需求日益增长。陶瓷器件的功能化取决于物理结构上微宏观多层次有序调控与化学材质上多组分分子结构重组,但因传统陶瓷制备工艺的限制以及陶瓷材料本身“硬、脆”的特质,工业中使用的陶瓷制品往往只具备简单的三维形状,无法通过传统减材制造的方式得到具有复杂微纳结构的高性能陶瓷器件,更无法通过模压等方式直接制备高精度复杂结构的高性能特种陶瓷。结合前驱体转化陶瓷(Precursor‑DerivedCeramics,PDC)技术和高精度增材制造技术(AdditiveManufacturing,AM),不仅能够在陶瓷物理结构上实现微纳尺寸精度多层次有序调控,还能在化学材质上进行多组分分子结构重组,实现宏/微/纳观多尺度的材料与结构的设计,得到热机械性能良好、轻量化、多功能复杂微纳结构的陶瓷器件。[0003]与传统陶瓷相比,PDC具有突出的热氧稳定性能、抗高温蠕变性能和良好的化学稳定性能,可