一种高效生产直拉式单晶炉用取晶运晶装置.pdf
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一种高效生产直拉式单晶炉用取晶运晶装置.pdf
本实用新型涉及单晶炉制备技术领域,且公开了一种高效生产直拉式单晶炉用取晶运晶装置,包括运输架,所述运输架的顶部固定连接有电机箱,所述电机箱的内壁固定连接有电机,所述电机的输出轴通过联轴器固定连接有丝杆,所述丝杆的外壁活动连接有活动块,所述活动块的外壁固定连接有安装架,所述安装架的顶部固定连接有液压缸,所述液压缸的输出端固定连接有运晶架,所述运晶架的外壁固定连接有定位带。该高效生产直拉式单晶炉用取晶运晶装置,能够将晶棒稳定的固定在运晶架上,并且在运晶时提高稳定性,避免固定不牢导致晶棒在移动时出现晃动产生不稳
直拉式单晶炉的可调托晶盘装置.pdf
一种直拉式单晶炉的可调托晶盘装置,它包副室、副室下法兰、托晶盘,托晶盘与摇臂连接,导向套焊接在副室下法兰侧面,导向套筋板与副室下法兰上平面、导向套焊接,导向套内安装弹簧,导向座安装在导向套上端,带外螺纹的连接销轴从下向上穿过摇臂定位孔、导向套、弹簧、导向座,用两个调节螺母锁定,摇臂与连接销轴采用台阶孔套接。它结构合理,设计巧妙,体积小,稍用力就可实现可调托晶盘下移,自动上移平稳。
一种直拉单晶引晶工艺及用于该引晶工艺的单晶炉.pdf
本发明提供一种直拉单晶引晶工艺,包括:采用若干CCD同步对引晶晶体直径进行监控,获得若干组所述引晶晶体直径的测试值;取所述测试值中的较大值与所述引晶晶体直径的标准值相比较;再调整所述引晶晶体拉晶速度使所述测试值在所述标准值范围内。本发明还提出用以该引晶工艺的单晶炉。本发明提出的引晶工艺,通过两组CCD测得的引晶直径作对比,选择CCD中显示的最小直径为引晶直径,并通过该直径进行引晶调节,获得合格的引晶晶体,且引晶晶体不发生引断,引晶成晶率高。
单晶炉晶棒定位装置及采用单晶炉晶棒定位装置的单晶炉.pdf
单晶炉晶棒定位装置及采用单晶炉晶棒定位装置的单晶炉。一种单晶炉晶棒定位装置,包括连接部、圆柱体收容部、伸缩部、纵向引导件及固定件。连接部一端与圆柱体收容部的中部连接,连接部的另一端设置有定位孔,且连接部与圆柱体收容部的侧壁垂直。伸缩部设置在圆柱体收容部内且伸缩部的一端伸出圆柱体收容部,且伸缩部的伸出圆柱体收容部的一端设置有用于定位晶棒的定位摇臂,定位摇臂与圆柱体收容部的轴线垂直;伸缩部的被收容在圆柱体收容部内的另一端设置用固定孔。纵向引导件设置在圆柱体收容部的引导孔中且与伸缩部接触,纵向引导件还与圆柱体收
直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法.pdf
本发明提供一种直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法,属于提高拉晶速率工艺的技术领域,包括:导流筒、水冷屏,所述导流筒位于所述水冷屏的下方,所述水冷屏的内侧壁设置有凹坑,单晶炉加热器位于炉体底部,布设于坩埚底部或侧壁上,单晶硅拉制过程中,加热器的温度自加热炉底部向上折射,本发明在所述水冷屏的内侧壁设置凹坑,通过凹坑能够增加水冷屏的热折射方向,使得热折射向上,减少热折射直接折射在晶棒上,利于晶棒的降温,且所述凹坑有利于增大水冷屏散热面积,且增加了水冷屏的吸热效率,提高加热炉腔内散热效率,进而使得单晶棒拉制的