预览加载中，请您耐心等待几秒...

一种基于硅基量子点光子器件单片集成的方法.pdf

预览
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲，该文档总共15页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～

下载提示 文本预览

如果您无法下载资料，请参考说明：

1、部分资料下载需要金币，请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档，再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压，在使用对应软件打开

本发明具体公开了一种基于硅基量子点光子器件单片集成的方法,所述方法利用高质量硅上III?V族直接外延技术和量子点技术,通过将激光器与其它主动和被动光电器件在CMOS兼容的SOI衬底上进行单片集成,充分发挥了硅基光子学的优势,从而获得包括激光器、调制器、硅波导和探测器集成的硅基量子点光发射模块,由于本发明中有源器件均使用同一种量子点外延异质结,并采用MBE设备同时生长而成,因而避免了高成本的二次外延生长。本发明通过采用选择性区域褪火与侧面光栅刻蚀技术,既保证了器件的性能又不需要引入二次外延生长,从而大大降低了成本。