一种陶瓷基复合材料基体的高熵陶瓷改性方法和由此制得的高熵改性复合材料.pdf
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一种陶瓷基复合材料基体的高熵陶瓷改性方法和由此制得的高熵改性复合材料.pdf
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(HfTaZrTiNb)C高熵陶瓷粉体及高熵陶瓷粉体和高熵陶瓷块体的制备方法.pdf
本发明涉及一种(HfTaZrTiNb)C高熵陶瓷粉体及高熵陶瓷粉体和高熵陶瓷块体的制备方法,通过高能球磨法将五种面心立方(FCC)碳化物粉体制成陶瓷粉体,然后采用放电等离子方法实现高熵陶瓷块体的制备,能够在1700℃‑2350℃温度范围内实现陶瓷的快速烧结,获得具有单相面心立方(FCC)结构的高熵陶瓷。本发明解决了(HfTaZrTiNb)C高熵块体陶瓷的制备问题,通过严格控制放电等离子烧结炉或热压炉参数,并通过XRD进行表征,最终获得具有FCC结构的高熵陶瓷,丰富了陶瓷材料体系。
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一种高导热CNTs定向改性陶瓷基复合材料的制备方法.pdf
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一种硼化物高熵陶瓷前驱体及高熵陶瓷及制备方法.pdf
本发明公开了一种硼化物高熵陶瓷前驱体及高熵陶瓷及制备方法,所述前驱体包括硼元素,还包括Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W元素中的至少4种,各金属元素的物质的量均占前驱体总金属物质的量的5~35%;所述前驱体溶于甲醇、乙醇、异丙醇、正丙醇、正丁醇、异丁醇、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、叔丁基甲醚、乙二醇二甲醚或乙二醇二乙醚。本发明采用聚合物前驱体法制备硼化物高熵陶瓷,由于聚合物前驱体中元素达到分子级均匀分散,在固化、裂解过程中保持元素的均匀分布,有利于实现硼化物固溶体的元素均匀分布,因此在相对较低的温度下