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一种GaN器件及其制备方法.pdf

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本发明实施例公开了一种GaN器件及其制备方法。该器件包括依次层叠的衬底、缓冲层、GaN层、AlN层和InAlN层,以及形成于InAlN层远离衬底一侧的源极、漏极和栅极,其中,源极和漏极的材料为Ti5Al1和TiN的层叠结构或Ti5Al1和W的层叠结构,利用Ti5Al1和TiN、Ti5Al1和W的材料特性,将源极和漏极与GaN层、AlN层及InAlN层接触,形成欧姆接触电极的机理,有效降低欧姆接触电阻,从而降低GaN器件的导通电阻,另外,利用ALE刻蚀工艺形成常关型GaN器件,实现了在降低导通电阻的同时还实现了低速低损失的刻蚀,同时精准控制刻蚀深度从而有效降低栅极漏电,提高器件高耐压值和阈值电压。