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分裂栅型MOSFET器件.pdf

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本实用新型公开了一种分裂栅型MOSFET器件,包括衬底;位于衬底表面的缓冲区;位于部分缓冲区表面的阱区;位于阱区内的第一掺杂区;位于第一掺杂区表面的源极区和漏极区;贯穿第一掺杂区和阱区并延伸至缓冲区中的分裂栅结构,分裂栅结构将源极区和漏极区隔开,分裂栅结构包括:外围的介质层,被介质层包围的第一栅极区、导体区和第二栅极区;位于介质层表面的绝缘区,介质层与绝缘区接触的表面平坦化。本申请采用槽型分裂栅结构,降低MOSFET器件中的栅漏电容,且槽型分裂栅结构中的介质层与绝缘区接触的表面平坦化,使得两个栅极区与沟道之间形成较均匀的电场,进而提升了MOSFET器件的栅极电学性能以及沟道的电学性能。