一种提取集成电路性能波动特征参数的方法及系统.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116029252A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202211678591.9(22)申请日2022.12.26(71)申请人深圳国微福芯技术有限公司地址518000广东省深圳市福田区福保街道福保社区桃花路与槟榔道交汇处西北深九科技创业园2号楼801(72)发明人范文妍赵文鹏何振宇白耿鲍琛(74)专利代理机构深圳市康弘知识产权代理有限公司44247专利代理师张明院(51)Int.Cl.G06F30/398(2020.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称一种提取集成电路性能波动特征参数的方法及系统(57)摘要本发明公开了一种提取集成电路性能波动特征参数的方法及系统，所述方法包括：根据每个元器件参数和性能参数之间的函数关系，构建电路仿真的替代模型；在元器件参数空间进行蒙特卡洛采样；使用所述替代模型对蒙特卡洛采样得到的样本进行仿真，计算本次采样性能波动特征参数的均值和方差；根据多组样本的均值和方差合并计算性能波动特征参数总的均值和方差。采用本发明的技术方案，可高效地提取集成电路性能波动特征参数。CN116029252ACN116029252A权利要求书1/2页1.一种提取集成电路性能波动特征参数的方法，其特征在于，包括：步骤S1：构建参数样本空间，确定集成电路的元器件参数空间维度N，并在参数空间进行4N+1次采样；步骤S2：构建仿真性能参数空间，对采集到的样本点进行电路仿真，获取对应的性能参数；步骤S3：计算性能参数对于每一个元器件参数的敏感度,并构建元器件参数和性能参数之间的关系函数；步骤S4：根据每个元器件参数和性能参数之间的函数关系，构建电路仿真的替代模型；步骤S5：在元器件参数空间进行蒙特卡洛采样；步骤S6：使用所述替代模型对蒙特卡洛采样得到的样本进行仿真，计算本次采样性能波动特征参数的均值和方差；步骤S7：计算品质因数，并判断品质因数是否小于设定的收敛阈值，是则进入步骤S8，否则返回步骤S5；步骤S8：根据多组样本的均值和方差合并计算性能波动特征参数总的均值和方差。2.如权利要求1所述的提取集成电路性能波动特征参数的方法，其特征在于，步骤S1具体包括：步骤S11：明确每个元器件参数xi的标称值μi,和标准方差σi；步骤S12：在所有元器件参数都取值为标称值的点X0＝(μ1，μ2，μ3，...，μN‑1，μN)进行采样；步骤S13：在其他参数都取值为标称值，第i个元器件参数取值分别为μi‑3σi，μi‑1.5σi，μi+1.5σi，μi+3σi的点采样，所得到的采样点为：xi1＝(μ1，μ2，μ3，...，μi‑3σi，...，μN‑1，μN)xi2＝(μ1，μ2，μ3，...，μi‑1.5σi，...，μN‑1，μN)xi3＝(μ1，μ2，μ3，...，μi+1.5σi，...，μN‑1，μN)xi4＝(μ1，μ2，μ3，...，μi+3σi，...，μN‑1，μN)。3.如权利要求2所述的提取集成电路性能波动特征参数的方法，其特征在于，步骤S3中，构建元器件参数和性能参数之间的关系函数，包括：对于每一个元器件参数x，利用对于该参数采样到的4个点构建分段线性插值函数fi(x)，得到：4.如权利要求3所述的提取集成电路性能波动特征参数的方法，其特征在于，步骤S4中，构建电路仿真的替代模型，包括：步骤S41：获取电路仿真时在标称值的点x0的性能值f0；步骤S42：通过如下公式得到电路仿真的替代模型:2CN116029252A权利要求书2/2页5.如权利要求4所述的提取集成电路性能波动特征参数的方法，其特征在于，步骤S5中，在元器件参数空间进行蒙特卡洛采样的方式如下：在参数空间中抽取Nj个随机数xij，i＝1,…,Nj，使得xij～N(μj，σj)。6.如权利要求5所述的提取集成电路性能波动特征参数的方法，其特征在于，计算本次采样性能波动特征参数的均值Ej和方差Sj的公式分别如下：7.如权利要求6所述的提取集成电路性能波动特征参数的方法，其特征在于，步骤S7中，品质因数fp的计算公式如下：8.如权利要求7所述的提取集成电路性能波动特征参数的方法，其特征在于,步骤S8中，总的均值E和方差S的计算公式如下：其中，k为样本的组数。9.一种提取集成电路性能波动特征参数的系统，其特征在于，其提取集成电路性能波动特征参数时，采用如权利要求1‑8任一项所述的提取集成电路性能波动特征参数的方法。3CN116029252A说明书1/5页一种提取集成电路性能波动特征参数的方法及系统技术领域[0001]本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种基于敏感度分析的提取集成电路性能波动特征参数的方法及系统。背景技术[0002]在集成电路设计制造过程中，会不