微显示结构、微显示结构的制备方法和发光装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116031279A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202310209259.6H01L33/58(2010.01)(22)申请日2023.02.27(71)申请人深圳市思坦科技有限公司地址518000广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区工业园路1号1栋凯豪达大厦十三层1309(72)发明人纪洁洁符民(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463专利代理师刘锋(51)Int.Cl.H01L27/15(2006.01)H01L33/38(2010.01)H01L33/62(2010.01)H01L33/54(2010.01)权利要求书2页说明书8页附图6页(54)发明名称微显示结构、微显示结构的制备方法和发光装置(57)摘要本申请提供一种微显示结构、微显示结构的制备方法和发光装置，涉及发光技术领域。微显示结构包括发光芯片和驱动芯片，所述发光芯片包括多个发光单元，所述发光单元设有出光侧，所述驱动芯片与所述发光芯片电连接，所述发光单元包括设置于所述出光侧的阴极层和远离所述出光侧的阳极层，所述阳极层包括与所述驱动芯片连接的键合层，所述阴极层的周侧向所述驱动芯片的方向延伸并与所述驱动芯片连接以形成密封空间，所述键合层被限定于所述密封空间内。本申请提供的微显示结构能够改善电性失效的情况，进而提升显示效果。CN116031279ACN116031279A权利要求书1/2页1.一种微显示结构，其特征在于，包括：发光芯片，所述发光芯片包括多个发光单元，所述发光单元设有出光侧；驱动芯片，所述驱动芯片与所述发光芯片电连接；所述发光单元包括设置于所述出光侧的阴极层和远离所述出光侧的阳极层，其中，所述阳极层包括与所述驱动芯片连接的键合层；所述阴极层的周侧向所述驱动芯片的方向延伸并与所述驱动芯片连接以形成密封空间，所述键合层被限定于所述密封空间内。2.根据权利要求1所述的微显示结构，其特征在于，所述发光芯片还包括聚光层，所述聚光层的一侧设置有多个微透镜，多个所述微透镜通过阵列分布以形成微透镜阵列；多个所述发光单元呈阵列分布，且所述微透镜与所述发光单元对应设置；所述聚光层设置于所述阴极层远离所述阳极层的一侧。3.根据权利要求2所述的微显示结构，其特征在于，所述微透镜阵列设置于所述聚光层靠近所述发光单元的一侧，所述微透镜阵列包括以下至少之一：弧形凸起、弧形凹陷、矩形凹陷。4.根据权利要求3所述的微显示结构，其特征在于，所述弧形凸起和所述弧形凹陷均为非球面曲率结构。5.根据权利要求1所述的微显示结构，其特征在于，所述发光芯片包括依次层叠设置的衬底、聚光层、粘接层和所述发光单元；所述发光单元包括所述阴极层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、所述阳极层和钝化层；所述阳极层包括电流扩展层、金属电极和所述键合层；所述聚光层的一侧设置有微透镜阵列，所述衬底设置于所述聚光层远离所述微透镜阵列的一侧，所述聚光层设有所述微透镜阵列的一侧通过所述粘接层与所述阴极层粘接，所述第一半导体层的一侧与所述阴极层的中部贴合，另一侧设置有多个间隔设置的凸台，所述凸台与所述微透镜对应设置，所述发光层、所述第二半导体层、所述电流扩展层和所述金属电极依次层叠设置于所述第一半导体层的凸台端面，所述钝化层分别附着于所述第一半导体层、所述发光层、所述第二半导体层、所述电流扩展层和所述金属电极的表面，所述键合层穿设于所述钝化层并将所述金属电极与所述驱动芯片电连接；所述阴极层的周侧向所述驱动芯片的方向延伸并与所述驱动芯片连接以形成密封空间，所述钝化层、所述第一半导体层、所述发光层、所述第二半导体层、所述电流扩展层、所述金属电极和所述键合层均被限定于所述密封空间内。6.一种微显示结构的制备方法，其特征在于，包括：将发光芯片初始框架与驱动芯片键合连接；暴露所述发光芯片初始框架中的第一半导体层；在所述第一半导体层上蒸镀阴极层，并使所述阴极层的周侧与所述驱动芯片密封搭接。7.根据权利要求6所述的微显示结构的制备方法，其特征在于，所述微显示结构的制备方法还包括：在衬底上制备聚光层，将所述聚光层覆盖于所述阴极层上。2CN116031279A权利要求书2/2页8.根据权利要求7所述的微显示结构的制备方法，其特征在于，所述在衬底上制备聚光层，将所述聚光层覆盖于所述阴极层上包括：在所述衬底上涂布树脂材料层，对所述树脂材料层进行曝光显影处理，得到微透镜阵列；或者，对所述树脂材料层进行纳米压印技术处理，得到微透镜阵列。9.根据权利要求6‑8中任一项所述的微显示结构的制备方法，其特征在于，所述暴露所述发光芯片初始框架中的第一半导体层包括：依次对所述发光芯片初始框架中的衬底和第三半导体层进行激光剥离，使所述第一半导体层被暴