一种具有寄生模态抑制层的声表面波谐振器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116032242A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202310323121.9(22)申请日2023.03.30(71)申请人阿尔伯达（苏州）科技有限公司地址215000江苏省苏州市相城区高铁新城南天成路28号高清传媒大厦11层1104.1105室(72)发明人刘佩琳(74)专利代理机构苏州尚为知识产权代理事务所(普通合伙)32483专利代理师印丹(51)Int.Cl.H03H9/25(2006.01)H03H9/64(2006.01)H03H9/145(2006.01)H03H9/02(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图9页(54)发明名称一种具有寄生模态抑制层的声表面波谐振器(57)摘要本发明涉及声表面波谐振器技术领域，具体涉及一种具有寄生模态抑制层的声表面波谐振器，包括压电基板、叉指换能器、抑制层及温度补偿层；压电基板旋转任意角度的YX切割；叉指换能器包括一对汇流条，以及呈交替间隔设置的两组IDT指条；抑制层沉积于所述压电基板及叉指换能器上，沉积厚度统一且端面为非平面状，抑制瑞利波和SH波杂散模态；温度补偿层涂覆于所述抑制层上。本发明在IDT指条表面覆盖一层抑制结构Si3N4，抑制层的引入并没有增加工艺的复杂度，并且优化了带内杂散，同时保持了谐振器的其它性能不受影响，可以显著提高滤波器的整体性能。CN116032242ACN116032242A权利要求书1/1页1.一种具有寄生模态抑制层的声表面波谐振器，其特征在于，包括：压电基板，旋转任意角度的YX切割；叉指换能器，包括一对汇流条，以及呈交替间隔设置的两组IDT指条；抑制层，沉积于所述压电基板及叉指换能器上，并一次成型，沉积厚度统一且端面为非平面状，抑制瑞利波以及将SH波杂散模态向高频移动；温度补偿层，涂覆于所述抑制层上。2.根据权利要求1所述的一种具有寄生模态抑制层的声表面波谐振器，其特征在于：所述IDT指条的金属化率mp∈[0.35，0.65]；所述抑制层的相对厚度h/λ∈[0.1%，4.0%]；所述IDT指条的金属化率与所述抑制层的相对厚度呈正相关性；其中，λ为所述叉指换能器的周期；h为所述抑制层的厚度。3.根据权利要求2所述的一种具有寄生模态抑制层的声表面波谐振器，其特征在于：所述压电基板采用旋转170°YX切型的铌酸锂制备形成衬底，当0.4≤mp≤0.5时，0.5%≤h/λ≤2.5%；或者，所述压电基板采用旋转128°YX切型的铌酸锂制备形成衬底，YX切型的铌酸锂制备形成衬底，当0.4≤mp≤0.5时，2.5%≤h/λ≤4%。4.根据权利要求2所述的一种具有寄生模态抑制层的声表面波谐振器，其特征在于：所述抑制层采用Si3N4，调整所述叉指换能器波导结构不同位置的速度；和/或，所述温度补偿层选用具有正频率温度系数的材料，采用SiO2、TeO2、Si2OF6中任意一种或多种的组合。5.根据权利要求2所述的一种具有寄生模态抑制层的声表面波谐振器，其特征在于：一对所述汇流条之间形成有激活区域及缝隙区域，所述缝隙区域设置于所述激活区域两侧；所述IDT指条上对应于所述激活区域与所述缝隙区域之间的位置处设置有用于抑制横向模态的抑制结构，所述抑制结构采用锤头结构和/或活塞结构，其中所述锤头结构实现所述IDT指条端部的加宽，所述活塞结构实现所述IDT指条端部的加厚。6.根据权利要求5所述的一种具有寄生模态抑制层的声表面波谐振器，其特征在于：所述缝隙区域具有沿垂直于所述IDT指条长度方向设置的声栅结构，所述声栅结构呈长条型或间断式结构，所述声栅结构端部距离所述抑制结构端部之间的距离D∈[0.075λ，1.0λ]。7.根据权利要求5所述的一种具有寄生模态抑制层的声表面波谐振器，其特征在于：所述抑制结构的金属化率为0.40～0.80；在所述IDT指条长度方向上，两组所述抑制结构的长度与激活区域的长度之和为10λ～30λ。2CN116032242A说明书1/7页一种具有寄生模态抑制层的声表面波谐振器技术领域[0001]本发明涉及声表面波谐振器技术领域，特别涉及一种具有寄生模态抑制层的声表面波谐振器。背景技术[0002]声表面波（SAW）滤波器广泛应用于移动通讯设备中，具有插损低、宽带宽、体积小、低成本、可批量生产等优点。随着通信协议的发展和5G技术的发展，频带数目和带宽的增加，对滤波器通带内电性能和通带外抑制的要求越来越高。鉴于谐振器是SAW器件的主要组成部分，经过优化设计的谐振器对于获得高性能的SAW器件来说尤为重要。但是，目前采用传统设计的谐振器，叉指换能器在主模激发的同时，还会产生不必要的高阶横模，SH模态以及很难抑制的瑞利模态，这些杂散模态会引起通带内波动，增加器件插损；同时还会增加