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水洞三维流场PIV测试用示踪粒子及其制备方法.pdf
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本发明公开了一种水洞三维流场PIV测试用示踪粒子及其制备方法,首先采用种子溶胀法制备微米级的芯核(1),然后对芯核(1)进行表面除油和敏化预处理,再进行化学镀银的包覆方法进行金属化处理提高光散射强度,最后用硅烷偶联剂进行表面改性处理来改善粒子的分散性能,得到水洞三维流场-PIV示踪粒子。经本发明方法制得的水洞三维流场-PIV示踪粒子剖面结构为中心是芯核(1),芯核(1)与表面改性层(3)之间是金属银包覆层(2)。其平均粒度为3μm～22μm、密度为1.1g/cm<base:Sup>3</base:Sup>
2023-05-25
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